rcl-radio.ru

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602А, КТ602Б — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные, средней мощности. Предназначены для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических уст-в. Граничное напряжение при Iэ = 10 мА, Tн = 5 мкс, f = 2 кГц не менее 70 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА не более 3 […]

КТ601А, КТ601АМ— кремниевые диффузионные транзисторы, n-p-n, усилительные, ВЧ, маломощные. Предназначены для применения в радиовещательных и ТВ приемниках. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкэ = 20 В, Iэ = 10 мА, не менее 16 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 20 В, Iэ = 1 мА не менее 40 МГц Емкость коллекторного перехода при Uкб […]

П504, П504А, П505, П505А — кремниевые сплавно-диффузионные транзисторы, n-p-n, универсальные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах ВЧ. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц для П505, П505А не более 1500 пс Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, f […]

2Т3117А, КТ3117А — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные высокочастотные, маломощные. Граничная частота при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА не менее: 2Т3117А …. 300 МГц КТ3117А …. 200 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 200 мА, Т = 298 К …. 40-200 Статический коэффициент передачи тока в схеме […]

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е— кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, усилительные высокочастотные, маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3107А-КТ3107Л. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА, f  = 30 МГц не более 100 нс Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, […]

КТ375А, КТ375Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,4 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при […]

КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ. Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее: КТ373А, КТ373Г …. 25 В КТ373Б …. 20 В КТ373В …. 10 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,1 […]

КТ358А, КТ358Б, КТ358В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не менее: КТ358А ….80 МГц КТ358Б, КТ358В …. 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи на ВЧ не более 500 пс […]

КТ342А, КТ342Б, КТ342В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uк = 1 В, Iэ = 1 мА, Т = 213 К: КТ342А ….25-250 КТ342Б …. 50-500 КТ342В …. 100-1000 Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uк […]

КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных, импульсных и усилительных схемах. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА, f  = 100 МГц не менее 300 МГц Время рассасывания при Iк = 5 мА не более: КТ340А …. 10 пс […]