rcl-radio.ru

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е— кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, усилительные высокочастотные, маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3107А-КТ3107Л. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА, f  = 30 МГц не более 100 нс Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, […]

КТ375А, КТ375Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,4 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при […]

КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ. Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее: КТ373А, КТ373Г …. 25 В КТ373Б …. 20 В КТ373В …. 10 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,1 […]

КТ358А, КТ358Б, КТ358В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не менее: КТ358А ….80 МГц КТ358Б, КТ358В …. 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи на ВЧ не более 500 пс […]

КТ342А, КТ342Б, КТ342В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uк = 1 В, Iэ = 1 мА, Т = 213 К: КТ342А ….25-250 КТ342Б …. 50-500 КТ342В …. 100-1000 Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uк […]

КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных, импульсных и усилительных схемах. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА, f  = 100 МГц не менее 300 МГц Время рассасывания при Iк = 5 мА не более: КТ340А …. 10 пс […]

КТ339А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, n-p-n, усилительный высокочастотный, маломощный. Предназначены для работы в усилителях ВЧ. Коэффициент усиления по мощности при Uкэ = 1,6 В, Iк = 7,2 мА, f = 35 МГц не менее 24 дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iэ = 7 мА не менее 25 Модуль коэффициента передачи […]

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в усилителях ВЧ и НЧ. Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее: КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж …. 15 В КТ315В, КТ315Д, КТ315И …. 30 В КТ315Г, КТ315Е …. 25 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = […]

1Т330А, 1Т330Б, 1Т330В, 1Т330Г, ГТ330Д, ГТ330Ж, ГТ330И — германиевые планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума . Предназначены для усиления и генерирования сигналов. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, Т = 298 К : 1Т330А, 1Т330Б, 1Т330Г, ГТ330Д, ГТ330Ж …. 30-400 1Т330В …. 80-400 ГТ330И …. […]

КТ620А, КТ620Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, переключательные. Предназначены для работы в импульсных схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером: КТ620А при Uкб = 10 В, Iк = 10 мА не менее 100 КТ620Б при Uкб = 5 В, Iк = 200 мА не менее 30-100 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 400 мА, Iб = 80 […]