КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д

Отечественные транзисторы

КТ340А, КТ340Б, КТ340В, КТ340Г, КТ340Д — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных, импульсных и усилительных схемах.

кт340

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА, f  = 100 МГц не менее 300 МГц

Время рассасывания при Iк = 5 мА не более:

  • КТ340А …. 10 пс
  • КТ340Б, КТ340В, КТ340Г …. 15 пс
  • КТ340Д …. 75 пс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 1 В, Iк = 10 мА:

  • КТ340А …. 100-150
  • КТ340Б …. не менее 100
  • КТ340Д …. не менее 40

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iк = 200 мА:

  • КТ340В …. не менее 35

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iк = 500 мА:

  • КТ340Г …. не менее 16

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более:

  • КТ340А …. 0,2В
  • КТ340Б …. 0,25В
  • КТ340Д …. 0,3В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iки = 200 мА, Iб = 20 мА не более:

  • КТ340В …. 0,4В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iки = 500 мА, Iб = 50 мА не более:

  • КТ340Г …. 0,6В

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте не более:

  • КТ340А …. 45 пс
  • КТ340Б …. 40 пс
  • КТ340В, КТ340Г …. 85 пс
  • КТ340Д …. 150 пс

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более:

  • КТ340А …. 3 пФ
  • КТ340Б, КТ340В, КТ340Г …. 3,7 пФ
  • КТ340Д …. 6 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 5 В не более 7 пФ

Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс не более 1 мкА

Обновлено: 05.03.2016 в 22:19 | Просмотров: 3 676
Загрузка...
Похожие статьи
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д
2Т922А, 2Т922Б, 2Т922В, КТ922А, КТ922Б, КТ922В, КТ922Г, КТ922Д - транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n регенераторные ВЧ. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при АМ, в умножителях  частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выходная мощность при Uкэ = 28 В, f = 175 МГц, Тк ≤ 313 К 2Т922А,  КТ922А ... 5 Вт 2Т922Б, КТ922Б ... 20 Вт КТ922Г ... 17 Вт КТ922Д ... 35 Вт 2Т922В, КТ922В ......

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ и для работы в схемах переключения. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА: 1Т313А ... 20-250 1Т313Б ... 20-80 1Т313В ... 60-250 ГТ313А, ГТ313Б ... 20-200 ГТ313В ... 30-170 Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА, f = 100 МГц: 1Т313А ... 3-10 ...

Мощные СВЧ-транзисторы
Краткий справочник Iэбо-обратный ток эмиттера(эмиттер-база) в числителе, при напряжении между эмиттером и базой в знаменателе. h21э-статический коэф. передачи тока. Iкэо-обратный ток коллектор-эмиттер, в числителе, при напряжении К-Э в знаменателе. Fгр-верхняя граничная частота. Ск-емкость коллекторного перехода. Uкэ max-максимальное напряжение между коллектором и эмиттером. Uэб мах-максимальное напряжение между эмиттером и базой. Iк max-максимальный ток коллектора. Ik...

КТ352А, КТ352Б
КТ352А, КТ352Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ352А — зеленая и розовая КТ352Б — зеленая и желтая Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 200 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1...

КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г
КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,5 В, Iк = 10 мА, Т = 298 К: КТ357А, КТ357В .......

Добавить комментарий

Войти с помощью: