Категория – Отечественные транзисторы

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В

2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, СВЧ, с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов ВЧ. Граничная частота при Uкб =5 В, Iк = 10 мА не менее: 2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б …. 800 МГц 2Т325В, КТ325В …. 1000 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =5 В, Iк = 10 мА, f = 10 МГц […]

5,00 (1)
Загрузка...
Просмотров: 530 Подробнее

П417, П417А

П417, П417А — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные ВЧ. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах ВЧ. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Вывод эмиттера на боковой поверхности корпуса маркируется цветной меткой. Граничная частота  при Uкб=5 В, Iэ=5 мА не менее …. 200 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не […]

Загрузка...
Просмотров: 496 Подробнее

П416, П416А, П416Б

П416, П416А, П416Б — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более …. 500 пс Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 […]

Загрузка...
Просмотров: 627 Подробнее

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б — германиевые транзисторы, сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА. Максимальная частота генерации при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее: П414, П414А, П414Б …. 60 МГц П415, П415А, П415Б …. 120 […]

Загрузка...
Просмотров: 362 Подробнее

П401, П402, П403, П403А

П401, П402, П403, П403А — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах КВ и УКВ схемах, в импульсных схемах РЭА. Максимальная частота генерации при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее: П401 …. 30 МГц П402 …. 60 МГц П403, П403А …. 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи […]

Загрузка...
Просмотров: 551 Подробнее

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В

КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для работы в логарифмических видеоусилителях и линейных усилителях ВЧ. Граничная частота в схеме с общим эмиттером при Uкб =20 В, Iк = 10 мА не менее: КТ3108А, КТ3108Б …. 250 МГц КТ3108В …. 300 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб […]

Загрузка...
Просмотров: 417 Подробнее

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены  для переключения 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, КТ316А, КТ316Б, КТ316В и усиления сигналов ВЧ 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д. Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее: 2Т316А, 2Т316Г, КТ316А, КТ316Г …. 600 МГц 2Т316Б, КТ316Б, 2Т316В, КТ316В, КТ316Д, 2Т316Д […]

Загрузка...
Просмотров: 369 Подробнее

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3107Л  — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, высокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в схемах генерирования и переключения сигналов НЧ и ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3102А-3. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ3107А […]

Загрузка...
Просмотров: 561 Подробнее

КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е

КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усилителях ВЧ.   Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iэ = 1 мА, Т = 298 К: КТ361А,  КТ361Д …. 20-90 КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е …. 50-350 КТ361В …. 40-160 Статический коэффициент передачи […]

Загрузка...
Просмотров: 578 Подробнее

КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г

КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в […]

Загрузка...
Просмотров: 570 Подробнее
Стр. 1 из 912345...Последняя »