2Т935А, КТ935А — транзисторы кремниевые эпитаксиальные маза-планарные n-p-n переключательные ВЧ мощные. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах.
- Граничное напряжение при Iк = 1 А не менее … 70 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 15 А,Iб = 3 А не более… 1 В
- типовое значение 0,75 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 15 А, Iб = 3 А не более 1,7 В
- типовое значение 1,3 В
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 4 В, Iк = 15 А при Т = 298 К … 20-100
- типовое значение … 30
- 2Т935А при Uкэ = 5 В, Iк = 3 А не более:
- при Т = 398 К … 150
- при Т = 213 К … 150
- Время включения при Iк = 10 А, Iб = 2 А не более … 0,25 мкс
- Время выключения при Iк = 10 А, Iб = 2 А не более … 0,7 мкс
- Модуль коэффициента передачи тока при f = 30 МГц Uкэ = 10 В, Iк = 1 А не менее … 1,7
- Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 1 МГц не более 800 пФ
- Емкость эмиттерного перехода при Uбэ = 4 В, f = 1 МГц не более … 3500 пФ
- Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 Ом не более:
- при Т = 298 К и Т = 213 К Uкэ = 80 В … 30 мА
- при Т = 398 К Uкэ = 60 В … 60 мА
- Обратный ток эмиттера при Uбэ = 4 В не более … 300 мА
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 Ом, Тп ≤ 373 К … 80 В
- Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Tи ≤ 50 мкс, Q ≥20, Тф ≥ 15 мкс, Rбэ = 10 Ом … 100 В
- Постоянное напряжение база-эмиттер … 5 В
- Импульсное напряжение база-эмиттер при Ти ≤ 50 мкс, Q ≥ 20 … 6 В
- Постоянный ток коллектора … 20 А
- Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 1 мс, Q ≥ 20 … 30 А
- Постоянный ток базы … 10 А
- Импульсный ток базы при Ти ≤ 1 мс, Q ≥ 20 … 15 А
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк ≤ 323 К … 60 Вт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...