2Т929А, КТ929А

2Т929А, КТ929А — транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные  n-p-n генераторные ВЧ. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В.

  • Выходная мощность при Uкэ = 8 В, f = 175 МГц, Тк ≤ 313 К не менее … 2 Вт
  • Коэффициент усиления по мощности при Uкэ = 8 В, Рвых = 2 Вт, f = 175 МГц не менее:
    • 2Т929А … 10
    • КТ929А … 8
  • Коэффициент полезного действия коллектора:
    • не менее … 55 %
    • типовое значение 75 %
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = 0,7 А
    • не менее … 25
    • типовое значение … 40
  • Модуль коэффициента передачи тока при f = 175 МГц, Uкэ = 8 В, Iк = 0,3 А
    • не менее … 4
    • типовое значение … 8
  • Критический ток коллектора при Uкэ = 8 В, f = 100 МГц, типовое значение … 2,5 А
  • Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ = 8 В, f = 5 МГц, Iк = 50 мА
    • не более …25 пс
    • типовое значение … 9 пс
  •  Емкость коллекторного перехода Uкэ = 8 В, f = 5 МГц
    • не более 20 пФ
    • типовое значение … 15 пФ
  • Обратный ток коллектора при Uкб = 30 В, Т = 298 К, типовое значение … 0,5 мА
  • Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 30 В, Rбэ = 100 Ом не более:
    • при Т = 298 К … 5 мА
    • при Т = 398 К … 10 мА
  • Обратный ток эмиттера при Uэб = 3 В не более:
    • при Т = 298 К … 5 мА
    • при Т = 398 К 2Т929А и Т = 358 К КТ929А … 10 мА
  • Индуктивность выводов при L = 1 мм:
    • эмиттерного … 1,2 нГн
    • коллекторного … 2,4 нГн
    • базового … 2,6 нГн
  • Емкости электродов относительно корпуса:
    • эмиттер-корпус … 1,84 пФ
    • коллектор-корпус … 1,53 пФ
    • база-корпус … 0,96 пФ

Предельные эксплуатационные данные

  • Постоянное напряжение коллектор-база … 30 В
  • Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ ≤ 100 Ом … 30 В
  • Постоянное напряжение эмиттер-база … 3 В
  • Постоянный ток коллектора … 0,8 А
  • Импульсный ток коллектора  … 1,5 А
  • Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме при Т ≤ 313 К … 6 Вт
  • Тепловое сопротивление переход-корпус … 20 К/Вт
  • Температура перехода … 433 К

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Помочь сайту: 100, 200, 500 рублей

Добавить комментарий

Войти с помощью: