2Т958А, КТ958А — транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50…200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
- Выходная мощность при Uкэ = 12,6 В, f = 175 МГц , Тк ≤ 313 К, не менее … 40 Вт
- Коэффициент усиления по мощности при Рвых = 40 Вт, Uкэ = 12,6 В, f = 175 МГц не менее … 4
- типовое значение … 6
- Коэффициент полезного действия коллектора на частоте при Рвых = 40 Вт, Uкэ = 12,6 В, f = 175 МГц не менее … 50 %
- типовое значение … 75 %
- Статический коэффициент передачи тока в схеме общим эмиттером при Uкэ = 8 В, Iк = 500 мА, не менее … 10
- типовое значение … 55
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 500 мА, Iб = 100 мА, типовое значение … 0,08 В
- Модуль коэффициента передачи тока при f = 100 МГц, Uкэ = 10 В, Iк = 3,5 А:
- 2Т958А, не менее … 4
- типовое значение … 7
- КТ958А, не менее … 3
- Критический ток коллектора при Uкэ = 10 В, f = 100 МГц, типовое значение … 20 А
- Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, f = 5 МГц, Iэ = 50 мА, типовое значение … 12 пс
- Емкость коллекторного перехода при Uкб = 12 В, f = 30 МГц не более … 180 пФ
- типовое значение … 130 пФ
- Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В, f = 5 МГц , не более … 2100 пФ
- типовое значение … 1920 пФ
- Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 36 В, Rбэ = 10 Ом при Т = 298 К:
- 2Т958А не более … 15 мА
- КТ958А не более … 25 мА
- Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В при Т = 298 К не более … 10 мА
- Индуктивность внутреннего LC-звена, типовое значение … 0,52 нГн
- Емкость внутреннего LC-звена, типовое значение … 1400пФ
- Индуктивность выводов при длине = 1 мм:
- эмиттерного … 0,49* нГн
- коллекторного … 1,6* нГн
- базового … 0,6* нГн
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 10 Ом … 36 В
- Постоянное напряжение эмиттер-база … 4 В
- Постоянный ток коллектора … 10 А
- Средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме:
- при Тк ≤ 313 К … 85 Вт
- при Тк = 398 К 2Т958А … 25 Вт
- Тепловое сопротивление переход-корпус … 1,4 К/Вт
- Температура р-п перехода … 433 К
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.