2Т3117А, КТ3117А — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные высокочастотные, маломощные.
Граничная частота при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА не менее:
- 2Т3117А …. 300 МГц
- КТ3117А …. 200 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 200 мА, Т = 298 К …. 40-200
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 200 мА, Т = 213 К:
- 2Т3117А …. 15-200
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 200 мА, Т = 398 К:
- 2Т3117А …. 30-350
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА не более:
- 2Т3117А …. 0,5 В
- КТ3117А …. 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА не более 1,2 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 60 В, Т = 298 К не более:
- 2Т3117А …. 5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 60 В, Т = 298 К не более:
- КТ3117А …. 10 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 60 В, Т = 398 К не более:
- 2Т3117А …. 50 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В 2Т3117А …. 5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В не более:
- 2Т3117А …. 10 пФ
- КТ3117А …. 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В не более:
- 2Т3117А …. 80 пФ
- КТ3117А …. 100 пФ
Время рассасывания 2Т3117А при Iк = 500 мА, Iб1 = Iб2 = 50 мА не более 60 нс
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т ≤ 298 для 2Т3117А …. 300 мВт
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т ≤ 308 К для КТ3117А …. 300 мВт
Загрузка...