2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602А, КТ602Б

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602А, КТ602Б — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные, средней мощности. Предназначены для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических уст-в.
кт602

Граничное напряжение при Iэ = 10 мА, Tн = 5 мкс, f = 2 кГц не менее 70 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА не более 3 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА не более 3 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iэ = 10 мА не менее:

  • 2Т602А, 2Т602АМ, КТ602А …. 20-80
  • 2Т602Б, 2Т602БМ …. 50-200
  • КТ602Б …. не менее 50

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 10 В, Iк = 10 мА, f = 2 МГц не более 300 пс

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 25 мА не менее 150 МГц

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 50 В, f = 2 МГц не более 4 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В, f = 2 МГц не более 25 пФ

Обратный ток коллектора при Т = 298 К, Uкб = 120 В не более:

  • 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ …. 10 мкА
  • КТ602А, КТ602Б …. 70 мкА

Обратный ток коллектора при Т = 398 К, Uкб = 100 В не более:

  • 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ …. 50 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Т = 298 К, Uкэ = 100 В, Rбэ = 10 Ом не более:

  • 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ …. 10 мкА
  • КТ602А, КТ602Б …. 100 мкА

Обратный ток коллектор-эмиттер при Т = 398 К, Uкэ = 80 В, Rбэ = 10 Ом не более:

  • 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ …. 50 мкА

Постоянная рассеиваемая мощность при Т ≤ 293 К …. 850 мВт (без теплоотвода)

Постоянная рассеиваемая мощность при Т ≤ 293 К …. 2,8 Вт (с  теплоотводом)

Добавить комментарий

Войти с помощью: