КТ375А, КТ375Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iэ = 20 мА, Т = 298 К:
- КТ375А …. 10-100
- КТ375Б …. 50-280
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iэ = 20 мА, Т = 358 К:
- КТ375А …. 10-200
- КТ375Б …. 50-560
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iэ = 20 мА, Т = 228 К:
- КТ375А …. 8-100
- КТ375Б …. 25-280
Модуль коэффициента передачи тока при f = 100 МГц, Uкэ = 10 В, Iк = 5 мА не менее 2,5
Постоянная времени цепи обратной связи при f = 2 МГц, Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не более 300 пс
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 2 МГц не более 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uбэ = 1 В, f = 2 МГц не более 20 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, Т = 298 К …. 1 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс, Т = 358 К …. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ = 5 В не более 1 мкА
Постоянная рассеивающая мощность коллектора …. 200 мВт
Загрузка...