Рубрика: Справочник

КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж, 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж

КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж, 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах Максимальная частота генерации при Uкб = 10 В, Iэ = 3 мА не менее 60 МГц Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 10 В, Iэ = 3 мА, f =  20 МГц не менее 1,5 […]

Загрузка...
Просмотров: 4 465 Читать статью

П422, П423

П422, П423 — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. Вывод эмиттера маркируется на буртике транзистора цветной меткой. Максимальная частота генерации при Uкб=5 В, Iэ=5 мА не менее: П422 …. 60 МГц П423 …. 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи […]

2,00 (1)
Загрузка...
Просмотров: 6 309 Читать статью

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные низкочастотные. Предназначены для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ=10 мА, Ти≤30мкс, скважности > 100 не менее: КТ502А, КТ502Б …. 25В КТ502В, КТ502Г …. 40В КТ502Д …. 60В КТ502Е …. 80В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=10 мА, Iб= 1мА не […]

Загрузка...
Просмотров: 4 657 Читать статью

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, усилительные маломощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ с нормированным коэффициентом шума, преобразователях, импульсных схемах. Коэффициент шума при Uкб = 3 В, Iк = 0,2 мА, Rr = 3 кОм, f = 1 кГц не более 4 дБ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк […]

Загрузка...
Просмотров: 2 693 Читать статью

ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г

ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г — германиевые сплавные транзисторы, p-n-p, усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах выходных каскадах УНЧ. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=1 В, Iэ= 3 мА, Т = 298 К: ГТ405А, ГТ405В …. 30-80 ГТ405Б, ГТ405Г …. 60-150 Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=1 В, Iэ= 3 мА, Т […]

Загрузка...
Просмотров: 3 152 Читать статью

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю

1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И, ГТ403Ю — германиевые сплавные транзисторы, p-n-p, усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях, стабилизаторах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А не более 0,5 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб […]

Загрузка...
Просмотров: 4 914 Читать статью

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г

ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г — германиевые сплавные транзисторы, p-n-p, усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в выходных каскадах УНЧ. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=1 В, Iэ=3 мА: ГТ402А, ГТ402В …. 30 — 80 ГТ402Б, ГТ402Г …. 60 — 150 Коэффициент линейности К1=(h21э при Iэ=3мА)/(h21э при Iэ=300мА) …. 0,7 — 1,4 Граничная частота коэффициента передачи […]

Загрузка...
Просмотров: 3 653 Читать статью

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее: КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М …. 5 МГц Коэффициент шума при […]

Загрузка...
Просмотров: 4 103 Читать статью

2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М

2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, 2Т208Д, 2Т208Е, 2Т208Ж, 2Т208И, 2Т208К, 2Т208Л, 2Т208М, КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА не менее: 2Т208А, 2Т208Б, 2Т208В, 2Т208Г, […]

Загрузка...
Просмотров: 3 294 Читать статью

2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В

2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д, КТ203А, КТ203Б, КТ203В — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой при Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА не менее: 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203А, КТ203Б, КТ203В …. 5МГц 2Т203Г, 2Т203Д …. 10 Мгц Коэффициент передачи тока […]

Загрузка...
Просмотров: 3 599 Читать статью