КТ312А, КТ312Б, КТ312В, 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные. Предназначены для работы в переключательных, усилительных и генераторных схемах.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 5 мА не менее:
- КТ312А, 2Т312А …. 80 МГц
- 2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В …. 120 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ = 10 В, Iэ = 5 мА, f = 2 МГц не более 500 пс
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб = 2 мА не более:
- КТ312А, 2Т312А …. 100 нс
- 2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В …. 130 нс
Коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 2 В, Iэ = 20 мА:
- 2Т312А …. 12-100
- КТ312А …. 10-100
- 2Т312Б, КТ312Б …. 25-100
- 2Т312В …. 50-250
- КТ312В …. 50-280
Граничное напряжение при Iэ = 7,5 мА, не менее:
- 2Т312Б, 2Т312А, 2Т312В …. 30 В
- КТ312А, КТ312В …. 20 В
- КТ312Б …. 35 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более:
- 2Т312Б, 2Т312А …. 0,5 В
- 2Т312В …. 0,35 В
- КТ312А, КТ312Б, КТ312В …. 0,8 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более 1,1 В
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10В, f = 2 МГц не более 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1В, f = 2 МГц не более 20 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб=30 В, Т = 298 К не более:
- 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В …. 1 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб=20 В, Т = 298 К не более:
- КТ312А, КТ312В …. 10 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб=35 В, Т = 298 К не более 10 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб=30 В, Т = 398 К не более:
- 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В …. 10 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб=35 В, Т = 398 К не более 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб=4 В не более 10 мкА
Загрузка...