1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г

1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г — германиевые планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей ВЧ и СВЧ.

un329

Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее:

  • 1Т329А, ГТ329А …. 1,2 ГГц
  • 1Т329Б, ГТ329Б …. 1,7 ГГц
  • 1Т329В, ГТ329В …. 1,0 ГГц
  • ГТ329Г …. 0,7 ГГц

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА, f = 30 МГц не более:

  • 1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г … 15 пс
  • 1Т329Б …. 30 пс
  • 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В …. 20 пс

Коэффициент шума при Uкб =5 В, Iэ = 3 мА, f = 400 МГц не более:

  • 1Т329А, ГТ329А …. 4 дБ
  • 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В …. 6 дБ
  • ГТ329Г …. 5 дБ

Оптимальное сопротивление генератора при измерении коэффициента шума:

  • при f = 60 МГц …. 75-100 Ом
  • при f = 180-400 МГц …. 50 Ом

Коэффициент усиления по мощности при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА, f = 400 МГц не более 6 дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА :

  • при Т = 298 К …. 15-300
  • при Т = 213 К 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В …. 1/3-1,2
  • при Т = 343 К 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В …. 0,8-2,5

Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее 5В

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 298 К не более …. 5 мкА

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 343 К для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В не более …. 50 мкА

Обратный ток эмиттера при Т = 298 К не более:

  • при Uэб = 0,5В для ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г …. 100 мкА
  • при Uэб = 0,7В для 1Т329А, 1Т329Б …. 100 мкА
  • при Uэб = 1В для 1Т329В, ГТ329В …. 100 мкА

Обратный ток эмиттера при Т = 343 К не более:

  • при Uэб = 0,7В для 1Т329А, 1Т329Б …. 150 мкА
  • при Uэб = 1В для 1Т329В …. 150 мкА

Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Uкб = 5В, Iэ = 5 мА для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В  не более 22 Ом

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более:

  • 1Т329А,  ГТ329А, ГТ329Г …. 2 пФ
  • 1Т329Б, ГТ329Б, 1Т329В, ГТ329В …. 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В не более …. 3,5 пФ

Емкость конструктивная между выводами эмиттера и корпуса …. 0,5 пФ

Емкость конструктивная между выводами базы и коллектора …. 0,5 пФ

Емкость конструктивная между выводами коллектора и корпуса …. 0,6 пФ

Постоянная рассеивающая мощность при Т = 213-323 К …. 50 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Войти с помощью: