1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г — германиевые планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей ВЧ и СВЧ.
Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее:
- 1Т329А, ГТ329А …. 1,2 ГГц
- 1Т329Б, ГТ329Б …. 1,7 ГГц
- 1Т329В, ГТ329В …. 1,0 ГГц
- ГТ329Г …. 0,7 ГГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА, f = 30 МГц не более:
- 1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г … 15 пс
- 1Т329Б …. 30 пс
- 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В …. 20 пс
Коэффициент шума при Uкб =5 В, Iэ = 3 мА, f = 400 МГц не более:
- 1Т329А, ГТ329А …. 4 дБ
- 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329Б, ГТ329В …. 6 дБ
- ГТ329Г …. 5 дБ
Оптимальное сопротивление генератора при измерении коэффициента шума:
- при f = 60 МГц …. 75-100 Ом
- при f = 180-400 МГц …. 50 Ом
Коэффициент усиления по мощности при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА, f = 400 МГц не более 6 дБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА :
- при Т = 298 К …. 15-300
- при Т = 213 К 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В …. 1/3-1,2
- при Т = 343 К 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В …. 0,8-2,5
Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее 5В
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 298 К не более …. 5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 343 К для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В не более …. 50 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = 298 К не более:
- при Uэб = 0,5В для ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329Г …. 100 мкА
- при Uэб = 0,7В для 1Т329А, 1Т329Б …. 100 мкА
- при Uэб = 1В для 1Т329В, ГТ329В …. 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = 343 К не более:
- при Uэб = 0,7В для 1Т329А, 1Т329Б …. 150 мкА
- при Uэб = 1В для 1Т329В …. 150 мкА
Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Uкб = 5В, Iэ = 5 мА для 1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В не более 22 Ом
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более:
- 1Т329А, ГТ329А, ГТ329Г …. 2 пФ
- 1Т329Б, ГТ329Б, 1Т329В, ГТ329В …. 3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В не более …. 3,5 пФ
Емкость конструктивная между выводами эмиттера и корпуса …. 0,5 пФ
Емкость конструктивная между выводами базы и коллектора …. 0,5 пФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора и корпуса …. 0,6 пФ
Постоянная рассеивающая мощность при Т = 213-323 К …. 50 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.