КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в усилителях ВЧ и НЧ.
Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж …. 15 В
- КТ315В, КТ315Д, КТ315И …. 30 В
- КТ315Г, КТ315Е …. 25 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315И …. 0,4 В
- КТ315Д, КТ315Е …. 1 В
- КТ315Ж …. 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315И …. 1,1 В
- КТ315Д, КТ315Е …. 1,5 В
- КТ315Ж …. 0,9 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА:
- КТ315А, КТ315В, КТ315Д …. 20-90
- КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е …. 50-350
- КТ315Ж …. 30-250
- КТ315И ….30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкэ = 10 В, Iэ = 5 мА не более:
- КТ315А …. 300 нс
- КТ315Б, КТ315В, КТ315Г …. 500 нс
- КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж …. 1000 нс
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА, f = 100 МГц не менее:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И …. 2,5
- КТ315Ж …. 1,5
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10В не более:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И …. 7 пФ
- КТ315Ж …. 10 пФ
Входное сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА не менее 40 Ом
Выходная проводимость при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА не более 0,3 мкСм
Обратный ток коллектора при Uкэ = 10 В не более 1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 кОм, Uкэ = Uкэ макс не более:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е …. 1 мкА
- КТ315Ж …. 10 мкА
- КТ315И …. 100 мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ = 5 В не более:
- КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж …. 30 мкА
- КТ315И …. 50 мкА
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...