КТ315 — кремниевый ВЧ биполярный транзистор малой мощности n-p-n проводимости. КТ315 является самым распространенным в советской радиоэлектронной аппаратуре, он был создан в 1968 году, это был первый транзистор в котором применялась планарно-эпитаксиальная технология при его изготовлении. Суть технологии в том, что все структуры транзистора образуются с одной стороны, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нем сначала формируется базовая область, а потом в базовой области формируется эмиттерная. До появления транзистора КТ316 все НЧ транзисторы изготавливались по сплавной технологии, а ВЧ по диффузионной. Планарно-эпитаксиальный метод изготовления транзисторов позволил значительно повысить мощность, а так же увеличить граничную частоту и максимальный ток коллектора.
Транзистор выпускался в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13, маркировался транзистор буквой в левом верхнем углу которая обозначала группу, а так же указывалась дата изготовления. Чуть позже после начала выпуска транзистора стали выпускать комплектарную пару КТ361. Для отличия КТ361 от КТ315 буква обозначающая группу транзистора наносили на корпус по середине.
КТ315 применялся в различных схемах усилителей ВЧ, ПЧ и ЗЧ. В военной промышленности КТ315 не применялся, вместо его использовался его аналог 2Т312 или 2Т316 в метало-стеклянных корпусах. В дальнейшем КТ315 стал заменяться более современным транзистором КТ3102 который имел комплектарную пару p-n-p проводимости КТ3107, однако из-за массового перехода электронной аппаратуры на ИМС транзистор КТ3102 широкого распространения не получил.
КТ315Г |
КТ361Б
|
Основные параметры транзистора КТ315:
- структура … n-p-n
- Uкэ … 15-60 В
- Uбэ … 6 В
- Iк … 50-100 мА
- Iб … 50 мА
- Мощность рассеивания … 100 мВт (150 мВт — максим.)
- Граничная частота … 250 МГц
- h21e … 20-350
Всего до 1990 года отечественная промышленность выпустила более 7 000 000 000
транзисторов КТ315.
Загрузка...