rcl-radio.ru

2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, ВЧ и СВЧ усилительные. Предназначены для усиления ВЧ и СВЧ сигналов и для работы в схемах переключения. Обозначение типа приводится на корпусе. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб =2 В, Iэ = 10 мА : при Т = 298 К: 2Т326А, КТ326А … […]

1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ и для работы в схемах переключения. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА: 1Т313А … 20-250 1Т313Б … 20-80 1Т313В … 60-250 ГТ313А, ГТ313Б … 20-200 ГТ313В … […]

КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, СВЧ, генераторные. Предназначенный для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных уст-вах в дипапзоне 1-7,2 ГГц. Обозначение типа приводится на верхней части держателя КТ640А-2 — черная полоска, КТ640Б-2 — белая полоска, КТ640В-2 — синяя полоска. Выходная мощность при f = 7 ГГц, Uкб = 15В, […]

КТ633Б — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, p-n-p, СВЧ, универсальный. Предназначенный для работы в усилительных и импульсных схемах. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб =1 В, Iэ = 10 мА … 20-160 Граничное напряжение при  Iэ = 10 мА не менее … 15 В Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при […]

2Т3120А, КТ3120А — транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей СВЧ. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками 2Т3120А — одна белая, КТ3120А — две белые. Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не […]

2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2 — кремниевый эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 4 (2Т3155Б-2) и 5 ГГц. Предназначены  для применения во входных и последующих цепях усилителей СВЧ. Бескорпусный, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими плоскими выводами и приклеиваемой керамической крышкой. На крышке транзистора наносится условная маркировка цветным кодом 2Т3115А-2 — красная точка, […]

КТ3101А-2 — кремниевый эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц. Предназначены  для применения во входных и последующих цепях усилителей СВЧ. Бескорпусный, на керамическом кристаллодержателе, с гибкими плоскими выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой. Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее …. 4000 МГц Постоянная времени цепи […]

КТ399А — кремниевый эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены  для применения во входных и последующих цепях усилителей ВЧ и СВЧ. Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее …. 1800 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 30 МГц не более […]

КМ435А, КМ435Б и КМ435В – биполярные транзисторы с изолированным затвором изготавливаются в корпусе с размерами 106х64х35 мм с изолированным основанием. UКЭмах = 1200 В IКмах = 200; 300; 400 А ОСОБЕННОСТИ малая мощность управления малые коммутационные потери высокие скорости коммутации стойкость к перегрузкам низкое падение напряжения НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ (при TА = […]

КТ222хС(х) – согласованная пара кремниевых NPN-типа проводимости транзисторных структур. Диэлектрическая изоляция Монолитная конструкция Близкое соответствие параметров от 10мкА до 1 мА – коэффициента усиления по постоянному току и напряжению база-эмиттер (100% тестирование) Превосходное тепловое соответствие Низкая взаимная емкость Поставка в кристаллах или в корпусах DIP-8, SO-8 Применяется для гибридных сборок и схем дифференциальных усилителей. Аналог […]