КТ633Б — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, p-n-p, СВЧ, универсальный. Предназначенный для работы в усилительных и импульсных схемах.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб =1 В, Iэ = 10 мА … 20-160
Граничное напряжение при Iэ = 10 мА не менее … 15 В
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при Iк = 100 мА, Iб = 10 мА не более … 0,6 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при Iк = 100 мА, Iб = 10 мА не более … 1,5 В
Время рассасывания при Iк = 100 мА, Iб = 10 мА не более … 30 нс
Время выключения Uэб = 1,5 В, Iк = 10 мА, Iб = 3 мА … 9 нс
Модуль коэффициента передачи тока на f = 100 МГц при Uкэ = 10 В, Iк = 100 мА не менее 5
Постоянная времени цепи обратной связи при Uк =10 В, Iэ = 30 мА, f = 5 МГц … 10 пс
Емкость коллекторного перехода Uкб = 10 В не более … 4,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В не более …. 25 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб = 30 В не более …. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4,5 В не более … 10 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 30 В не более … 3 мкА
Коэффициент шума при f = 20 МГц, Uкб = 5 В, Iэ = 5 мА … 6
Предельные эксплуатационные данные:
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 228-298 К …. 1,2 Вт
Постоянное напряжение коллектор — база … 30 В
Постоянное напряжение эмиттер — база … 4,5 В
Постоянный ток коллектора … 0,2 А
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...