КТ222хС(х)

КТ222хС(х) – согласованная пара кремниевых NPN-типа проводимости транзисторных структур.

  • Диэлектрическая изоляция
  • Монолитная конструкция
  • Близкое соответствие параметров от 10мкА до 1 мА – коэффициента усиления по постоянному току и напряжению база-эмиттер (100% тестирование)
  • Превосходное тепловое соответствие
  • Низкая взаимная емкость
  • Поставка в кристаллах или в корпусах DIP-8, SO-8

Применяется для гибридных сборок и схем дифференциальных усилителей.
Аналог DI4044 (фирмы DIONICS Inc.)
Коллекторы транзисторов изолированы друг от друга, а также от нижней части кристалла.
Посадка кристалла при сборке возможна на эвтектику или клей.

ОПИСАНИЕ ВЫВОДОВ DIP-8

ОПИСАНИЕ ВЫВОДОВ SO-8

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ

Основные электрические параметры при приемке и поставке должны соответствовать значениям, приведенным в таблице при температуре окружающей среды +25°C (если не указано иначе).

ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ

Источник — http://www.sitsemi.ru/sk/kt222.htm

Добавить комментарий

Войти с помощью: