КТ222хС(х) – согласованная пара кремниевых NPN-типа проводимости транзисторных структур.
- Диэлектрическая изоляция
- Монолитная конструкция
- Близкое соответствие параметров от 10мкА до 1 мА – коэффициента усиления по постоянному току и напряжению база-эмиттер (100% тестирование)
- Превосходное тепловое соответствие
- Низкая взаимная емкость
- Поставка в кристаллах или в корпусах DIP-8, SO-8
Применяется для гибридных сборок и схем дифференциальных усилителей.
Аналог DI4044 (фирмы DIONICS Inc.)
Коллекторы транзисторов изолированы друг от друга, а также от нижней части кристалла.
Посадка кристалла при сборке возможна на эвтектику или клей.
ОПИСАНИЕ ВЫВОДОВ DIP-8
ОПИСАНИЕ ВЫВОДОВ SO-8
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Основные электрические параметры при приемке и поставке должны соответствовать значениям, приведенным в таблице при температуре окружающей среды +25°C (если не указано иначе).
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ
Источник — http://www.sitsemi.ru/sk/kt222.htm