rcl-radio.ru

2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ —  транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.   Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ819А, КТ819АМ не более  … 25 […]

КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г  —  транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ817А … 25 В КТ817Б … 40 В КТ817В … 60 В КТ817Г … […]

КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г  —  транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти = 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ815А … 25 В КТ815Б … 40 В КТ815В … 60 В КТ815Г … […]

2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные высоковольтный НЧ. Предназначены для работы в выходных каскадах строчной развертки, в импульсных и ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 0,1А … 350 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 8 А, Iб = 1,6 А … 2,5 В типовое значение …. 1,35 В […]

2Т809А, КТ809А — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные НЧ. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=2А, Iб=0,4А …  -1,5 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 2 А, Iб = 0,4 А … -2,3 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, […]

2Т808А, КТ808А — транзисторы кремниевые маза-планарные n-p-n переключательные НЧ мощные. Предназначены для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 6 А, Iб = 0,6 А … 1…2,5 В типовое значение … 1,4 В Статический коэффициент передачи тока в схеме […]

КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в генераторах кадровой и строчной разверток, УНЧ, источниках питания. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером не менее … 5 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = […]

КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ — транзисторы кремниевые эпитаксиальные n-p-n переключательные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в  схемах выходных каскадах строчной развертки ТВ, систем зажигания ДВС..   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 5 А, Iб = 0,5 А: КТ805А, КТ805АМ не более … 2,5 В КТ805Б, КТ805БМ не более … 5 В при Iк […]

2Т803А, КТ803А — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n мощные, универсальные. Предназначены для работы в  усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, источниках питания.     Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iк = 0,5 А не менее … 20 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером […]

КТ802А — транзистор кремниевый меза-планарный n-p-n мощный, универсальный. Предназначен для работы в  усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, усилителях мощности, вторичных источниках питания.   Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iк = 0,5 А не менее … 10 Мгц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим […]