КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
- Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти = 300 мкс, Q ≥ 100 не менее:
- КТ815А … 25 В
- КТ815Б … 40 В
- КТ815В … 60 В
- КТ815Г … 80 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А … 0,6 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А … 1,2 В
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iк = 0,15 А не менее:
- при Т = 298 К
- КТ815А, КТ815Б, КТ815В … 40
- КТ815Г … 30
- при Т = 233 К
- КТ815А, КТ815Б, КТ815В … 30
- КТ815Г … 20
- при Т = 298 К
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iэ = 0,03 А не менее … 3 МГц
- Емкость коллекторного перехода при Uкэ = 5 В, f = 465 кГц не более … 60 пФ
- Емкость эмиттерного перехода при Uбэ = 0,5 В не более … 75 пФ
- Входное сопротивление в режиме малого сигнала при Uкэ = 5 В, Iк = 5 мА, f = 800 Гц не менее … 800 Ом
- Обратный ток коллектора при Uкб = 40 В не более:
- при Тк = 233-298 К … 50 мкА
- при Тк = 373 К … 1000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ ≤ 100 Ом, Тк = 233-373 К:
- КТ815А … 40 В
- КТ815Б … 50 В
- КТ815В … 70 В
- КТ815Г … 100 В
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер:
- КТ815А … 25 В
- КТ815Б … 40 В
- КТ815В … 60 В
- КТ815Г … 80 В
- Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк = 213-373 К … 5 В
- Постоянный ток коллектора при Тк = 233-373 К … 1,5 А
- Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 10 мс, Q ≥100, Тк = 233-373 К … 3 А
- Постоянный ток базы при Тк = 233-373 К … 0,5 А
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
- с теплоотводом при Тк = 233-298 К … 10 Вт
- без теплоотвода при Т = 233-298 К … 1 Вт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.