КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
- Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее:
- КТ817А … 25 В
- КТ817Б … 40 В
- КТ817В … 60 В
- КТ817Г … 80 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 1 А, Iб = 0,1 А … 0,6 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 1 А, Iб = 0,1 А … 1,5 В
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iэ = 1 А не менее:
- при Т = 298 К и Т = 373 К … 25
- при Т = 233 К … 15
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 0,25 А не менее … 3 МГц
- Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 1 МГц не более … 60 пФ
- Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В не более … 115 пФ
- Обратный ток коллектора при Uкб = 40 В КТ817А; при Uкб = 45 В КТ817Б, при Uкб = 50 КТ817В; при Uкб = 100 В КТ817Г не более:
- при Тк = 233-298 К … 100 мкА
- при Тк = 373 К … 3000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = ∝, Тк = 233-373 К:
- КТ817А … 25 В
- КТ817Б … 45 В
- КТ817В … 60 В
- КТ817Г … 80 В
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб ≤ 1 кОм, Тк = 233-373 К:
- КТ817А … 40 В
- КТ817Б … 45 В
- КТ817В … 60 В
- КТ817Г … 100 В
- Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк = 213-373 К … 5 В
- Постоянный ток коллектора при Тк = 233-373 К … 3 А
- Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 20 мс, Q ≥100, Тк = 233-373 К … 6 А
- Постоянный ток базы при Тк = 233-373 К … 1 А
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:
- с теплоотводом при Тк = 233-298 К … 25 Вт
- без теплоотвода при Т = 233-298 К … 1 Вт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...