2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В

2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные высоковольтный НЧ. Предназначены для работы в выходных каскадах строчной развертки, в импульсных и ключевых схемах.

• Граничное напряжение при Iк = 0,1А … 350 В
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 8 А, Iб = 1,6 А … 2,5 В
  • типовое значение …. 1,35 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 8 А, Iб = 1,6 А … 2,5 В
  • типовое значение …. 2,2 В
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Т = 298 К:
  • 2Т812А, 2Т812Б при Uкэ = 3 В, Iк = 8 А … 30
  • КТ812А, КТ812Б при Uкэ = 2,5 В, Iк = 8 А не менее …. 4
  • КТ812В при Uкэ = 5 В, Iк = 5 А … 10
  • при Т = 398 К 2Т812А, КТ812Б при Uкэ = 3 В, Iк = 5 А не менее… 4
  • при Т = 213 К 2Т812А, 2Т812Б при Uкэ = 3 В, Iк = 8 А не менее … 3
• Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 10 В, Iк = 0,2 А, f = 1 МГц … 3,5…8,4
• Время спада при Uкэ = 250 В, Uбэ = 4 В, Iк = 5 А, I, = 2.5 А … 1.3 мкс
• Емкость коллекторного перехода при Uкб = 100 В … 70…100пФ
• Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 … 1300…2300пФ
• Обратный ток коллектора не более:
  • при Т = 298 К, Uкб = 700 В 2Т812А, КТ812А, Uкб = 500 В КТ812Б, 2Т812Б, Uкб = 300 КТ812В … 5 мА
    • типовое значение … 0,5 мА
  • при Т = 398 К, Uкб = 400 В 2Т812А, Uкб = 300 В 2Т812Б … 10 мА
  • при Т = 213 К, Uкб = 500 В2Т812А, Uкб = 400 В 2Т812Б … 10 мА
• Обратный ток эмиттера не более:
  • при Uэб = 6 В 2Т812А, 2Т812Б … 50 мА
    • типовое значение … 5 мА
  • при Uэб = 7 В КТ812А, КТ812Б, КТ812В … 150 мА

Предельные эксплуатационные данные

 

Импульсное напряжение коллектор- эмиттер при Rбэ = 10 Ом, Ти ≤20 мкс, Тф ≥ 3мкс, Q ≥ 3, Тк = 233…358 К 2Т812А, 2Т812Б и Ти ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 или Ти ≤ 50 мкс, Q ≥ 2 КТ812А, КТ812Б, КТ812В

• 2Т812А, КТ812А … 700 В
• 2Т812Б, КТ812Б … 500 В
• Кт182В … 300 В

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 Ом, Ти ≤ 500 мкс, Тф ≥ 3 мкс, Q ≥ 2, Т = 233…358 К: для 2Т812А, 2Т812Б … 350 В

Постоянное напряжение база — эмиттер:

• 2Т812А, 2Т812Б … 6 В
• КТ812А, КТ812Б, КТ812В …7 В

Постоянный ток коллектора:

• 2Т812А, 2Т812Б … 10 А
• КТ812А, КТ812Б, КТ812В … 8 А

Импульсный ток коллектора:

• 2Т812А, 2Т812Б
  • при Ти ≤ 20 мкс, Q ≥ 10 … 17 А
  • при Ти ≤ 20 мкс, Q ≥ 2 … 12 А
• КТ812А, КТ812Б, КТ812В при Ти ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 или Ти ≤ 50 мкс, Q ≥ 2 … 12 А

Постоянный ток базы

• 2Т812А, 2Т812Б … 4 А
• КТ812А, КТ812Б, КТ812В … 3 А

Импульсный ток базы

• 2Т812А, 2Т812Б
  • при Ти ≤ 20 мкс, Q ≥ 10 … 7 А
  • при Ти ≤ 20 мкс, Q ≥ 2 … 5 А
• КТ812А, КТ812Б, КТ812В при Ти ≤ 1 мкс, Q ≥ 10 или при Ти ≤ 1 мкс, Q ≥ 2 … 4 А

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2Т812А, 2Т812Б при Тк = 213…323 К и К812А, КТ812Б, КТ812В при Тк = 228…323 К … 50 Вт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.