2Т809А, КТ809А — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные НЧ. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=2А, Iб=0,4А … -1,5 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 2 А, Iб = 0,4 А … -2,3 В
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = 3 А:
- при Т = 298 К … 15…100
- при Т = 398 К … 15 … 130
- при Т = 213 К … 10…100
- Время включения при Iк = 2 А, Iб = 0,5 А, Ти = 10 мкс … 0,2-0,3 мкс
- типовое значение … 0,25 мкс
- Время спада при Iк = 2 А, Iб = 0,5 А, Ти = 10 мкс … 0,2-0,3 мкс
- типовое значение … 0,25 мкс
- Время рассасывания при Iк = 2 А, Iб = 0,5 А, Ти = 10 мкс … 0,5-3 мкс
- типовое значение 2 мкс
- Модуль коэффициента передачи тока при f = 3,3 МГц, Uкэ = 5 В, Iк = 0,5 А не менее … 1,7
- Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 400 В, Rбэ = 10 Ом не более:
- при Т = 298 К и Т = 213 К … 3 мА
- при Т = 398 К, Uкэ = 300 В … 10 мА
- Обратный ток эмиттера при Uбэ = 4 В не более … 50 мА
- Емкость коллекторного перехода при Uкэ = 5 В … 270 пФ
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер при Тк ≤ 373 К, Rбэ = 10 Ом … 400 В
Постоянное напряжение эмиттер-база при Т = 213-398 К … 4 В
Постоянный ток коллектора при Тк = 213…398 К … 3 А
Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 400 мкс, Q ≥ 10, Тк = 213…398 К … 5 А
Ток базы при Тк = 213…398 К … 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк = 213…323 К … 40 Вт
Тепловое сопротивление переход корпус … 2,5 К/Вт
Температура перехода …423 К
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...