rcl-radio.ru

П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д, П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г — транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: при Iк = 4 А, Iб = 0,5 А не более: П216, П216А … 0,75 В П217, П217А, П217Б, П217Г … […]

П213, П213А, П213Б, П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215 — транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,37 А  не более: П213 … 0,5 В П214, П214А, П214Б,  П215 … 0,9 В при […]

П210А, П210Ш — транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения. Граничное напряжение при Iк = 2,5 А не менее … 50 В типовое значение … 70 В Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером: П210А при Iк = 5 А, Uкэ […]

П201Э, П201АЭ, П202Э, П203Э — транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 2 А, Iб = 0,3А П201АЭ, П202Э, П203Э не более … 2,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = […]

П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ — транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 2 А, Iб = 0,3А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ не более … 0,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при […]

КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: КТ829А … 100 В КТ829Б … 80 В КТ829В … 60 В КТ829Г … 45 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3,5 А, Iб = […]

2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные ВЧ мощные. Предназначены для работы в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: 2Т828А, КТ828А … 700 В 2Т828Б, КТ828Б … 600 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 4,5 А, Iб = 2 А: при Тк […]

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в системах автоматики и защиты. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: 2Т827А, КТ827А … 100-140 В типовое значение […]

2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В  — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высковольтные НЧ мощные. Предназначены для работы в схемах перобразователей постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: 2Т826А, 2Т826В, КТ826А, КТ826В … 500 В 2Т826Б, КТ826Б … 600 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 […]

2Т824А, 2Т824АМ, 2Т824Б, 2Т824БМ — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные НЧ мощные. Вывод эмиттера 2Т824А и 2Т824Б маркируется двумя условными точками на корпусе. Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 10 В, Iк = 0,2 А, f = 1 МГц не менее …. 3,5 типовое значение … 6 Время спада при Uкэ = 100 В, […]