КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ключевых схемах.

  • Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее:
    • КТ829А … 100 В
    • КТ829Б … 80 В
    • КТ829В … 60 В
    • КТ829Г … 45 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3,5 А, Iб = 14 мА не более … 2 В
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3,5 А, Iб = 14 мА … 2,5 В
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 3 В, Iк = 3 А не менее … 2,25
    • типовое значение … 4
  • Модуль коэффициента передачи тока при f = 1 МГц, Uкэ = 20 В, Iк = 100 мА не менее:
    • при Тк = 298 К и Тк = 358 К … 750
    • при Тк = 233 К … 100
  • Модуль коэффициента передачи тока при f = 10 МГц, Uкэ = 3 В, Iк = 3 А не менее … 0,4
  • Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = Uкэ макс, Rбэ = 1 кОм не более:
    • при Тк = 298 К и Т = 233 К … 1,5 мА
    • при Тк = 358 К … 3 мА
  • Обратный ток эмиттера при Uбэ = 5 В не более … 2 мА

Предельные эксплуатационные данные

  • Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ ≤ 1 кОм, постоянное напряжение коллектор-база:
    • КТ829А … 100 В
    • КТ829Б … 80 В
    • КТ829В … 60 В
    • КТ829Г … 45 В
  • Постоянное напряжение база-эмиттер … 45 В
  • Постоянный ток коллектора … 8 А
  • Постоянный ток базы … 0,2 А
  • Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 500 мкс, Q ≥ 10 .. 12 А
  • Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк ≤ 298 К … 60 Вт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Войти с помощью: