rcl-radio.ru

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г — транзисторы кремниевые  меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ816А … 25 В КТ816Б … 40 В КТ816В … 60 В КТ816Г … 80 […]

КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г — транзисторы кремниевые  меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ814А … 25 В КТ814Б … 40 В КТ814В … 60 В КТ814Г … 80 […]

1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p  переключательные мощные. Предназначены для  работы  в схемах  переключающих  устройств. Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее 1Т813А … 60 В 1Т813Б … 75 В 1Т813В … 80 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 30 А, Iб […]

ГТ810А — транзистор германиевый диффузионно-сплавной  p-n-p  НЧ усилительный мощный. Предназначены для применения в выходных каскадах блоков строчной развертки ТВ. Модуль коэффициента передачи тока на ВЧ при Uкэ = 10 В, Iэ = 0,5 А, f = 5 МГц не менее … 3 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 А, Iб = 1 А … […]

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p переключательные НЧ мощные. Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее 1Т806А … 40 В 1Т806Б … 65 В 1Т806В … […]

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д — транзисторы германиевые сплавные  p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,225 А не более … 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,225 А не более … 1 В Статический коэффициент передачи […]

1Т702А, 1Т702Б, 1Т702В — транзисторы германиевые сплавные  p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ, в ключевых схемах преобразователей напряжения, в схемах управляемых регуляторов, в импульсных схемах. Граничное напряжение при Iк = 2,5 А не менее при Т = 298К 1Т702А, 1Т702Б … 60 В 1Т702В … 40 В при Т = 343 К […]

ГТ701А — транзистор германиевый сплавной  p-n-p универсальный НЧ мощные. Предназначен для работы в схемах усилителей мощности НЧ, в импульсных ключевых схемах. Граничное напряжение при Iэ = 2,5 А не менее при Т = 298 К … 100 В при Т = 343 К … 90 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером […]

П601И, П601АИ, П601БИ, П602И, П602АИ — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в усилительных, импульсных и переключающих каскадах радиоэлектронных уст-в. Граничное напряжение при Iэ = 0,3 А, f = 1 кГц, Tи = 5 мкс не менее: П601И, П602АИ … 20 В П601АИ, П601БИ, П602И … 25 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер […]

П302, П303, П303А, П304, П306, П306А — транзисторы кремниевые  p-n-p усилительные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах усиления низкой частоты и преобразователях постоянного напряжения. Сопротивление насыщения коллетор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 50 мА не менее: при Т = 298 К П303, П303А … 20 Ом при Т = 393 К и […]