rcl-radio.ru

КТ611А, КТ611Б, КТ611В, КТ611Г — транзисторы кремниевые планарные n-p-n усилительные. Предназначены для усиления и генерирования напряжения в диапазоне ВЧ. Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 40 В, Iэ = 20 мА, f = 20 МГц не менее … 3 Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА, f […]

КТ604А, КТ604Б, КТ604АМ, КТ604БМ — транзисторы кремниевые  меза-планарные n-p-n универсальные ВЧ, мощные. Предназначены для применения в схемах ОУ, видеоусилителях и генераторах разверток. Транзисторы КТ604А, КТ604Б выпускаются в металлостеклянном корпусе — вариант №1, КТ604АМ, КТ604БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами — вариант №2. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 […]

2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — транзисторы кремниевые  меза-планарные p-n-p составные универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, электронных схемах управления, схемах автоматики и защиты. Граничное напряжение при Iэ = 100 мА: 2Т825А … 80 В 2Т825Б … 60 В 2Т825В, КТ825Д … 45 В КТ825Г … 70 […]

2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — транзисторы кремниевые  меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ818А,  КТ818АМ … 25 В 2Т818В, КТ818Б, КТ818БМ […]

КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г — транзисторы кремниевые  меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ816А … 25 В КТ816Б … 40 В КТ816В … 60 В КТ816Г … 80 […]

КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г — транзисторы кремниевые  меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ814А … 25 В КТ814Б … 40 В КТ814В … 60 В КТ814Г … 80 […]

1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p  переключательные мощные. Предназначены для  работы  в схемах  переключающих  устройств. Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее 1Т813А … 60 В 1Т813Б … 75 В 1Т813В … 80 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 30 А, Iб […]

ГТ810А — транзистор германиевый диффузионно-сплавной  p-n-p  НЧ усилительный мощный. Предназначены для применения в выходных каскадах блоков строчной развертки ТВ. Модуль коэффициента передачи тока на ВЧ при Uкэ = 10 В, Iэ = 0,5 А, f = 5 МГц не менее … 3 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 А, Iб = 1 А … […]

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p переключательные НЧ мощные. Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее 1Т806А … 40 В 1Т806Б … 65 В 1Т806В … […]

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д — транзисторы германиевые сплавные  p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в УНЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,225 А не более … 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,225 А не более … 1 В Статический коэффициент передачи […]