| Ваш IP: 54.205.168.74 | Online(36) - гости: 10, боты: 26 | Загрузка сервера: 1.76 ::::::::::::

Категория – Отечественные транзисторы

КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г

КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в […]

Загрузка...
Просмотров: 631 Подробнее

2Т355А, КТ355А

2Т355А, КТ355А — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, усилительные СВЧ. Предназначены для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала при Uкб = 5 В, Iк = 10 мА, Т = 298 К не менее …. 80-300 Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в […]

Загрузка...
Просмотров: 412 Подробнее

1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В

1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В — германиевые планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц. Предназначены для усиления сигналов СВЧ. Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее: 1Т341А, 1Т341В, ГТ341А, ГТ341В …. 1,5 ГГц 1Т341Б, ГТ341Б …. 2 ГГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =5 В, Iэ = […]

Загрузка...
Просмотров: 334 Подробнее

КТ352А, КТ352Б

КТ352А, КТ352Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ352А — зеленая и розовая КТ352Б — зеленая и желтая Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 200 МГц Статический коэффициент […]

Загрузка...
Просмотров: 437 Подробнее

КТ351А, КТ351Б

КТ351А, КТ351Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек: КТ351А — желтая и розовая КТ351Б — две желтые точки Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 200 МГц […]

Загрузка...
Просмотров: 355 Подробнее

КТ350А

КТ350А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, p-n-p, универсальный высокочастотный, маломощный. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух точек серого и розового цвета. Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее 100 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с […]

Загрузка...
Просмотров: 383 Подробнее

КТ345А, КТ345Б, КТ345В

КТ345А, КТ345Б, КТ345В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных, импульсных и усилительных схемах ВЧ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, на корпусе нанесена маркировка в виде двух цветных точек (верхний ряд): КТ345А — белая и розовая КТ345Б — белая и желтая КТ345 — белая и синяя Граничная частота коэффициента […]

Загрузка...
Просмотров: 389 Подробнее

КТ343А, КТ343Б, КТ343В

КТ343А, КТ343Б, КТ343В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных, импульсных и усилительных схемах ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,3 В, Iэ = 10 мА не менее: КТ343А, КТ343В …. 30 КТ343Б …. […]

Загрузка...
Просмотров: 420 Подробнее

ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В

ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, лавинные, маломощные. Предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах. Напряжение лавинного пробоя при f  = 15 кГц,  Rн = 75 Ом, Сн = 40-60 пФ не менее: ГТ338А …. 8 В ГТ338Б …. 13 В ГТ338В …. 5 В Время нарастания импульса при Rн = 75 Ом, Uкэ= 20 В, f = 15 […]

Загрузка...
Просмотров: 509 Подробнее

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В

ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные ВЧ, с нормированным коэффициентом шума, маломощные. Предназначены для работы в усилителях ПЧ и ВЧ. Коэффициент шума при f  = 1,6 МГц,  Uкб=5 В, Iэ=1 мА не более 4 дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iк=1 мА: ГТ322А …. 30-100 ГТ322Б …. 50-120 ГТ322В …. […]

Загрузка...
Просмотров: 451 Подробнее
Стр. 3 из 1012345...Последняя »