КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г — транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.
- Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее:
- КТ816А … 25 В
- КТ816Б … 40 В
- КТ816В … 60 В
- КТ816Г … 80 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,3 А не более … 1 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 3 А, Iб = 0,3 А не более … 1,5 В
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 2 В, Iк = 2 А не менее:
- при Тк = 298-373 К … 25
- при Т = 233 К … 15
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iк = 0,25 А не менее … 3 МГц
- Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 465 кГц не более … 60 пФ
- Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В, f = 465 кГц не более … 115 пФ
- Обратный ток коллектора при Uкб = 25 В КТ816А, при Uкб = 45 В КТ816Б, при Uкб = 60 В КТ816В, при Uкб = 100 В не более:
- при Тк = 298 К … 100 мкА
- при Тк = 373 К … 3000 мкА
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Iб = 0:
- КТ816А … 25 В
- КТ816Б … 45 В
- КТ816В … 60 В
- КТ816Г … 80 В
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ ≤ 1 кОм
- КТ816А … 40 В
- КТ816Б … 45 В
- КТ816В … 60 В
- КТ816Г … 100 В
- Постоянное напряжение база-эмиттер … 5 В
- Постоянный ток коллектора … 3 А
- Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 20 мс, Q ≥ 100 … 6 А
- Постоянный ток базы … 1 А
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
- с теплоотводом при Тк 233-298 К… 25 Вт
- без теплоотвода при Т = 233-298 К … 1 Вт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...