КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г — транзисторы кремниевые  меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы у УНЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.

  • Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее:
    • КТ814А … 25 В
    • КТ814Б … 40 В
    • КТ814В … 60 В
    • КТ814Г … 80 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А не более … 0,6 В
  • Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А не более … 1,2 В
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 2 В, Iэ = 0,15 А не менее:
    • КТ814А, КТ814Б, КТ814В … 40
    • КТ814Г … 30
  • Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкэ = 5 В, Iэ = 0,03 А не менее … 3 МГц
  • Емкость коллекторного перехода при Uкэ = 5 В, f = 465 кГц не более … 60 пФ
  • Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В, f = 465 кГц не более … 75 пФ
  • Обратный ток коллектора при Uкб = 40 В не более:
    • при Тк ≤ 298 К … 50 мкА
    • при Тк = 373 К … 1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные

  • Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rбэ ≤ 100 Ом:
    • КТ814А … 40 В
    • КТ814Б … 50 В
    • КТ814В … 70 В
    • КТ814Г … 100 В
  • Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Iб = 0:
    • КТ814А … 25 В
    • КТ814Б … 40 В
    • КТ814В … 60 В
    • КТ814Г … 80 В
  • Постоянное напряжение база-эмиттер … 5 В
  • Постоянный ток коллектора … 1,5 А
  • Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 10 мс, Q ≥ 100 … 3 А
  • Постоянный ток базы … 0,5 А
  • Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
    • с теплоотводом при Тк ≤ 298 К…10 Вт
    • без теплоотвода  при Т = 233-298 К … 1 Вт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Войти с помощью: