1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д

1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные  p-n-p переключательные НЧ мощные. Предназначены для работы в импульсных схемах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.

• Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее
  • 1Т806А … 40 В
  • 1Т806Б … 65 В
  • 1Т806В … 80 В
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более
  • при Iк = 20 А, Iб = 2 А 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В … 0,6 В
  • при Iк = 15 А, Iб = 2 А ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д … 0,6 В
• Напряжение насыщения база-эмиттер не более
  • при Iк = 20 А, Iб = 2 А 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В … 0,8 В
  • при Iк = 15 А, Iб = 2 А ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д … 1,0 В
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (на границе насыщения)
  • 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В
    • при Тк = 298 К, Iк = 10 А … 10-100
    • при Тк = 343 К, Iк = 5 А … 10-100
    • при Тк = 213 К, Iк = 10 А … 10-150
  • ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д
    • при Тк = 298 К, Iк = 10 А … 10-100
    • при Тк = 343 К, Iк = 5 А … 10-200
    • при Тк = 213 К, Iк = 10 А … 8-100
• Время выключения при Uкэ = 45 В, Iк = 5 А, Iб = 0,25 А не более … 30 мкс
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = 1 А не менее … 10 МГц
• Обратный ток коллектор-эмиттер при Uбэ = 1 В, Uкэ = 75 В 1Т806А; при Uкэ = 100 В 1Т806Б, при Uкэ = 120 В 1Т806В не более
  • при Т = 298 К и Т = 213 К … 12 мА
  • при Т = 343 К … 25 мА
  • при Т = 298 К Uкэ = Uкэ макс, ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д … 15 мА
• Обратный ток эмиттера не более
  • при Uбэ = 2 В 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В … 5 мА
  • при Uбэ = 1,5 В ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д … 8 мА

Предельные эксплуатационные данные

• Постоянное напряжение коллектор — эмиттер при Uбэ = 1 В
  • 1Т806А,  ГТ806А … 75 В
  • 1Т806Б, ГТ806Б … 100 В
  • 1Т806В, ГТ806В … 120 В
  • ГТ806Г … 50 В
  • ГТ806Д … 140 В
• Постоянное напряжение база — эмиттер
  • 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В … 2 В
  • ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д … 1,5 В
• Постоянный ток коллектора в режиме насыщения
  • 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В … 20 А
  • ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д … 15 А
• Импульсный ток коллектора в режиме насыщения при Q ≥ 2, Ти = 1000 мкс, Кнас = 1 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В … 25 А
• Постоянный ток базы … 3 А
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
  • с теплоотводом при Тк ≤ 298 К … 30 Вт
  • без теплоотвода при Т ≤ 298 К … 2 Вт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.