1Т813А, 1Т813Б, 1Т813В — транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p переключательные мощные. Предназначены для работы в схемах переключающих устройств.
- Граничное напряжение при Iэ = 3 А, Ти ≤ 50 мкс, f = 20-50 Гц не менее
- 1Т813А … 60 В
- 1Т813Б … 75 В
- 1Т813В … 80 В
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 30 А, Iб = 3 А не более … 0,8 В
- Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 30 А, Iб = 3 А не более … 0,8 В
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (на границе насыщения)
- при Т = 298 К, Iк = 20 А … 10-60
- при Т = 343 К, Iк = 10 А … 10-60
- при Т = 213 К, Iк = 20 А … 10-120
- Время выключения при Uкэ = 30 В, Iк = 30 А, Iб = 5 А не более
- 1Т813А … 3 мкс
- 1Т813Б, 1Т813В … 5 мкс
- Обратный ток коллектор-эмиттер при Uбэ = 1 В не более
- при Т = 298 К и Т = 213 К, при Uкэ = 100 В 1Т813А, при Uкэ = 125 В 1Т813Б, при Uкэ = 150 В 1 Т813В … 16 мА
- при Т = 343 К, при Uкэ = 80 В 1Т813А, при Uкэ = 100 В 1Т813Б, при Uкэ = 120 В 1Т813В … 25 мА
Предельные эксплуатационные данные
- Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Uэб = 1 В
- при Тк = 213-303 К
- 1Т813А … 100 В
- 1Т813Б … 125 В
- 1Т813В … 150 В
- при Тк = 213-343 К
- 1Т813А … 80 В
- 1Т813Б … 100 В
- 1Т813В … 120 В
- Постоянное напряжение база-эмиттер … 2 В
- Импульсное напряжение база-эмиттер
- при Ти ≤ 1 мс, Q ≥ 2 … 4 В
- при Ти ≤ 5 мс, Q ≥ 3 … 6 В
- Постоянный ток коллектора … 30 А
- Импульсный ток коллектора при Ти ≤ 1 мс, Q ≥ 2 … 40 А
- Постоянный ток базы … 5 А
- Импульсный ток базы при Ти ≤ 1 мс, Q ≥ 2 … 10 А
- Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
- с теплоотводом при Тк = 213-298 К … 50 Вт
- без теплоотвода при Т = 213-298 К … 1,5 В
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...