rcl-radio.ru

П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ — транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные НЧ мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 2 А, Iб = 0,3А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ не более … 0,5 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при […]

КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: КТ829А … 100 В КТ829Б … 80 В КТ829В … 60 В КТ829Г … 45 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 3,5 А, Iб = […]

2Т828А, 2Т828Б, КТ828А, КТ828Б — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные ВЧ мощные. Предназначены для работы в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: 2Т828А, КТ828А … 700 В 2Т828Б, КТ828Б … 600 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 4,5 А, Iб = 2 А: при Тк […]

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в системах автоматики и защиты. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: 2Т827А, КТ827А … 100-140 В типовое значение […]

2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В  — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высковольтные НЧ мощные. Предназначены для работы в схемах перобразователей постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 100 мА не менее: 2Т826А, 2Т826В, КТ826А, КТ826В … 500 В 2Т826Б, КТ826Б … 600 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 […]

2Т824А, 2Т824АМ, 2Т824Б, 2Т824БМ — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные НЧ мощные. Вывод эмиттера 2Т824А и 2Т824Б маркируется двумя условными точками на корпусе. Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 10 В, Iк = 0,2 А, f = 1 МГц не менее …. 3,5 типовое значение … 6 Время спада при Uкэ = 100 В, […]

2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В, КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ —  транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах.   Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ819А, КТ819АМ не более  … 25 […]

КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г  —  транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти ≤ 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ817А … 25 В КТ817Б … 40 В КТ817В … 60 В КТ817Г … […]

КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г  —  транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n универсальные НЧ мощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ, ОУ и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, Ти = 300 мкс, Q ≥ 100 не менее: КТ815А … 25 В КТ815Б … 40 В КТ815В … 60 В КТ815Г … […]

2Т812А, 2Т812Б, КТ812А, КТ812Б, КТ812В — транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n импульсные высоковольтный НЧ. Предназначены для работы в выходных каскадах строчной развертки, в импульсных и ключевых схемах. Граничное напряжение при Iк = 0,1А … 350 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 8 А, Iб = 1,6 А … 2,5 В типовое значение …. 1,35 В […]