rcl-radio.ru

КТ608А, КТ608Б, 2Т608А, 2Т608Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и ВЧ схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 200 мА, Т = 298 К: 2Т608А …. 25-80 2Т608Б …. 50-160 КТ608А …. 20-80 КТ608Б …. 40-160 Статический коэффициент передачи тока в схеме с […]

КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ  — кремниевые меза-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные, высокочастотные, маломощные. Предназначены для применения в импульсных , переключательных и усилительных ВЧ схемах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более 8 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА не менее: КТ605А …. 10-40 КТ605Б …. […]

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, импульсные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в импульсных и переключательных схемах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г …. 0,8 В КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е …. 1 В 2Т603И […]

2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ, КТ602А, КТ602Б — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные, средней мощности. Предназначены для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических уст-в. Граничное напряжение при Iэ = 10 мА, Tн = 5 мкс, f = 2 кГц не менее 70 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА не более 3 […]

КТ601А, КТ601АМ— кремниевые диффузионные транзисторы, n-p-n, усилительные, ВЧ, маломощные. Предназначены для применения в радиовещательных и ТВ приемниках. Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкэ = 20 В, Iэ = 10 мА, не менее 16 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 20 В, Iэ = 1 мА не менее 40 МГц Емкость коллекторного перехода при Uкб […]

П504, П504А, П505, П505А — кремниевые сплавно-диффузионные транзисторы, n-p-n, универсальные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах ВЧ. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц для П505, П505А не более 1500 пс Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, f […]

2Т3117А, КТ3117А — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные высокочастотные, маломощные. Граничная частота при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА не менее: 2Т3117А …. 300 МГц КТ3117А …. 200 МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 200 мА, Т = 298 К …. 40-200 Статический коэффициент передачи тока в схеме […]

КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е— кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, усилительные высокочастотные, маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах ВЧ, являются комплементарными транзисторами КТ3107А-КТ3107Л. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА, f  = 30 МГц не более 100 нс Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, […]

КТ375А, КТ375Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,4 В Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при […]

КТ373А, КТ373Б, КТ373В, КТ373Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ. Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее: КТ373А, КТ373Г …. 25 В КТ373Б …. 20 В КТ373В …. 10 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,1 […]