ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях ВЧ.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА не менее:
- ГТ309А, ГТ309Б …. 120 МГц
- ГТ309В, ГТ309Г …. 80 МГц
- ГТ309Д, ГТ309Е …. 40 МГц
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА, f = 20 МГц не менее:
- ГТ309А, ГТ309Б …. 6
- ГТ309В, ГТ309Г …. 4
- ГТ309Д, ГТ309Е …. 2
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5В, Iэ = 5 мА, f = 5 МГц не более:
- ГТ309А, ГТ309Б …. 500 пс
- ГТ309В, ГТ309Г , ГТ309Д, ГТ309Е ….1000 пс
Статически коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iэ=5 мА, Т = 293 К:
- ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д …. 20-70
- ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е …. 60-180
Статически коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iэ=5 мА, Т = 328 К:
- ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д …. 20-140
- ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е …. 60-380
Статически коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=5 В, Iэ=5 мА, Т = 253 К:
- ГТ309А, ГТ309В, ГТ309Д …. 16-70
- ГТ309Б, ГТ309Г, ГТ309Е …. 30-180
Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб = 5 В, Iэ=1 мА не более …. 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб = 5 В, Iэ=1 мА не более 5 мкСм
Коэффициент шума при Uкб = 5 В, Iэ=1 мА, f = 1,6 МГц для ГТ309Б, ГТ309Г не более 6 дБ
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 5 МГц не более 10 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб = 5 В, Т = 293 К … 5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 5 В, Т = 328 К … 120 мкА
Постоянная рассеивающая мощность при Т = 293 К …. 50 мВт и 15 мВт при Т = 328 К