2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б и усиления сигналов ВЧ 2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д.
Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 10 мА не менее:
- 2Т306А, 2Т306В, КТ306А, КТ306В …. 300 МГц
- 2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г …. 500 МГц
- КТ306Д …. 200 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА, f = 10 МГц не более:
- 2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г …. 500 пс
- КТ306Д …. 300 пс
Коэффициент шума при Uкб =5 В, Iэ = 0,5 мА, f = 1 кГц не более 30 дБ
Коэффициент шума при Uкб =5 В, Iэ = 1 мА, f = 90 МГц не более 8 дБ
Время рассасывания при Iк нас = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Iб2 = 1,2 мА, Rк = 75 Ом для 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б не более 30 нс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Т = 298 К, Iэ = 10 мА не менее:
- 2Т306А, КТ306А …. 20-60
- 2Т306Б, КТ306Б …. 40-120
- 2Т306В, КТ306В …. 20-100
- КТ306Г, 2Т306Г …. 40-200
- КТ306Д …. 30-150
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Т = 213 К, Iэ = 10 мА не менее:
- 2Т306А …. 8-60
- 2Т306Б …. 16-120
- 2Т306В…. 8-100
- 2Т306Г …. 16-200
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Т = 398 К, Iэ = 10 мА не менее:
- 2Т306А …. 20-120
- 2Т306Б …. 40-240
- 2Т306В…. 20-200
- 2Т306Г …. 40-400
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА не менее:
- 2Т306А, 2Т306В, КТ306А, КТ306В …. 10 В
- 2Т306Б, КТ306Б, КТ306Г, 2Т306Г …. 7 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б не более 0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б не более 1 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 15 В, Т = 298 К не более …. 0,5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 15 В, Т = 398 К для 2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г не более …. 10 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, Т = 298 К не более …. 1 мкА
Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Uкб = 5В, Iэ = 5 мА, f = 1 кГц для 2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д не более 30 Ом
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более …. 5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В не более …. 4,5 пФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора и эмиттера …. 0,55 пФ
Постоянная рассеивающая мощность при Т = 213-363 К …. 150 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...