КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, усилительные ВЧ. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах.
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА, Т = 298 К не менее:
- КТ630А …. 40-120
- КТ630Б …. 80-240
- КТ630В, КТ630Г …. 40-120
- КТ630Д …. 80-240
- КТ630Е …. 160-480
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА, Т = 398 К не менее:
- КТ630А …. 40-240
- КТ630Б …. 80-480
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА, Т = 213 К не менее:
- КТ630А …. 15-120
- КТ630Б …. 30-240
Граничное напряжение при Iэ = 100 мА, Ти≤300мкс, Q≥200 не менее:
- КТ630А …. 90 В
- КТ630Б …. 80 В
- КТ630В …. 100 В
- КТ630Г …. 60 В
- КТ630Д , КТ630Е …. 50 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более 0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более 1,1 В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uк = 10 В, Iк = 60 мА не менее 50 МГц
Емкость коллекторного перехода при Uкбо = 10 В, не более 15 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэбо = 0,5 В не более 65 пФ
Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА, f = 270 Гц …. 5-8 Ом
Входное сопротивление в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала при Uкэ = 10 В, Iк = 5 мА, f = 270 Гц …. 200-1200 Ом
Время включения при Iк = 200 мА, Iб = 40 мА, Ти = 10 мкс …. 0,04-0,25 мкс
Время выключения при Iк = 200 мА, Iб = 40 мА, Ти = 10 мкс …. 0,08-0,5 мкс
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Iк = 100 мА, Rэб = 3 кОм не менее:
- КТ630А , КТ630Б …. 120 В
- КТ630В …. 150 В
- КТ630Г …. 100 В
- КТ630Д , КТ630Е …. 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Iэ = 100 мА не менее:
- КТ630А , КТ630Б, КТ630В …. 7 В
- КТ630Г , КТ630Д , КТ630Е …. 5 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 80 В, Rэб = 3 кОм для КТ630А, КТ630В не менее 1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Uкэ = 40 В, Rэб = 3 кОм для КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е не менее 1 мкА
Обратный ток эмиттера при Uкбо = 5 В не более 0,1 мкА
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 233-298 К …. 0,8 Вт
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора в течении не более чем 3 с (при Т не более 533 К). Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм.