ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В

Отечественные транзисторы

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала.

гт320

Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее:

  • ГТ320А …. 80 МГц
  • ГТ320Б …. 120 МГц
  • ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б …. 160 МГц
  • 1Т320В …. 200 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более:

  • ГТ320А, ГТ320Б, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В …. 500 пс
  • ГТ320В …. 600 пс

Время рассасывания при Iк нас = 10 мА, Iб нас = 1 мА не более:

  • 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В …. 200 нс
  • ГТ320А …. 400 нс
  • ГТ320Б …. 500 нс
  • ГТ320В …. 600 нс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=1 В, Iэ=10 мА, Т = 293 К:

  • ГТ320А …. 20-80
  • ГТ320Б …. 50-120
  • ГТ320В …. 80-250

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=1 В, Iэ=10 мА, Т = 298 К:

  • 1Т320А …. 40-100
  • 1Т320Б …. 70-160
  • 1Т320В …. 100-250

Граничное напряжение при Iэ = 10 мА не более:

  • 1Т320А …. 14 В
  • 1Т320Б …. 12 В
  • 1Т320В …. 10 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 200 мА, Iб = 20 мА не более:

  • ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В …. 2 В
  • 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В …. 1 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более:

  • ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В …. 0,45 В
  • 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В …. 0,5 В

Обратный ток коллектора при Т = 298 К, Uкб = 20 В для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В не более 5 мкА

Обратный ток коллектора при Т = 343 К, Uкб = 15 В для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В не более 150 мкА

Обратный ток коллектора при Т = 293 К, Uкб = 20 В для ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В не более 10 мкА

Обратный ток коллектора при Т = 293 К, Uкб = 5 В для ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В не более 2 мкА

Обратный ток эмиттера при Т = 298 К, Uэб = 2 В для 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В не более 50 мкА

Обратный ток эмиттера при Т = 293 К, Uэб = 2 В для ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В не более 50 мкА

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В не более 25 пФ

Постоянная рассеиваемая мощность  при Т = 217-318 К 200 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Обновлено: 10.03.2016 в 19:10 | Просмотров: 8 269
Загрузка...
Похожие статьи
П422, П423
П422, П423 — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. Вывод эмиттера маркируется на буртике транзистора цветной меткой. Максимальная частота генерации при Uкб=5 В, Iэ=5 мА не менее: П422 .... 60 МГц П423 .... 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более: П422...

ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е, 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е
ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е, 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е — германиевые транзисторы, конверсионные, p-n-p, переключательные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения. Граничная частота при Uкб =10 В, Iэ = 15 мА не менее 60 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10 В, Iэ=15 мА, f = 5 МГц не более: ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е .... 600 пс 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е .... 400...

П416, П416А, П416Б
П416, П416А, П416Б — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА. Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более .... 500 пс Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц, Т = 293 К: П416 .... 25-80 П416А .... 60-125 П416Б .... 90-200 Модуль...

П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б — германиевые транзисторы, сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА. Максимальная частота генерации при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее: П414, П414А, П414Б .... 60 МГц П415, П415А, П415Б .... 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более: П414, П414А, П414Б .... 1000...

П401, П402, П403, П403А
П401, П402, П403, П403А — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах КВ и УКВ схемах, в импульсных схемах РЭА. Максимальная частота генерации при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее: П401 .... 30 МГц П402 .... 60 МГц П403, П403А .... 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более: П401 .... 3500 пс П402 .... 1000 пс П403, П403А...

Добавить комментарий

Войти с помощью: