ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е, 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е — германиевые транзисторы, конверсионные, p-n-p, переключательные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения.
Граничная частота при Uкб =10 В, Iэ = 15 мА не менее 60 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10 В, Iэ=15 мА, f = 5 МГц не более:
- ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е …. 600 пс
- 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е …. 400 пс
Время рассасывания при Iк нас = 700 мА, Iб нас = 70 мА не более:
- 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г …. 1 мкс
Время рассасывания при Iк нас = 700 мА, Iб нас = 35 мА не более:
- ГТ321Б, 1Т321Б, ГТ321Д, 1Т321Д …. 1 мкс
Время рассасывания при Iк нас = 700 мА, Iб нас = 17,5 мА не более:
- ГТ321В , ГТ321Е, 1Т321В, 1Т321Е …. 1 мкс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=3 В, Iк=500 мА, Т = 293 К:
- ГТ321А, ГТ321Г …. 20-60
- ГТ321Б, ГТ321Д …. 40-120
- ГТ321В, ГТ321Е …. 80-200
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=3 В, Iк=500 мА, Т = 298 К:
- 1Т321А, 1Т321Г …. 20-60
- 1Т321Б, 1Т321Д …. 40-120
- 1Т321В, 1Т321Е …. 80-200
Граничное напряжение при Iэ = 700 мА, Т = 298-343К не более:
- ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В …. 45 В
- ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е …. 35 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 700 мА, Iб = 140 мА не более:
- 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г …. 2,5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 700 мА, Iб = 70 мА не более:
- ГТ321Б, 1Т321Б, ГТ321Д, 1Т321Д …. 2,5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 700 мА, Iб = 35 мА не более:
- ГТ321В , ГТ321Е, 1Т321В, 1Т321Е …. 2,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 700 мА, Iб = 140 мА не более:
- 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Г, ГТ321Г …. 1,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 700 мА, Iб = 70 мА не более:
- ГТ321Б, 1Т321Б, ГТ321Д, 1Т321Д …. 1,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 700 мА, Iб = 35 мА не более:
- ГТ321В , ГТ321Е, 1Т321В, 1Т321Е …. 1,3 В
Обратный ток коллектора при Т = 293 К, Uкб = 60 В для ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В не более 500 мкА
Обратный ток коллектора при Т = 293 К, Uкб = 45 В для ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е не более 500 мкА
Обратный ток коллектора при Т = 298 К, Uкб = 60 В для 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В не более 500 мкА
Обратный ток коллектора при Т = 298 К, Uкб = 45 В для 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е не более 500 мкА
Обратный ток коллектора при Т = 298 К, Uкб = 30 В для 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е не более 100 мкА
Обратный ток коллектора при Т = 343 К, Uкб = 30 В для 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е не более 1,2 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rэб = 100 Ом, Uкэ = 50 В для 1Т321А, ГТ321А, 1Т321Б, ГТ321Б, 1Т321В, ГТ321В не более 0,8 мА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rэб = 100 Ом, Uкэ = 40 В для 1Т321Г, ГТ321Г, 1Т321Д, ГТ321Д, 1Т321Е, ГТ321Е не более 0,8 мА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В не более 80 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В не более:
- ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е …. 600 пФ
- 1Т321А, 1Т321Б, 1Т321В, 1Т321Г, 1Т321Д, 1Т321Е …. 550 пФ
Постоянная рассеиваемая мощность при Т ≤ 318 К …. 160 мВт
Постоянная рассеиваемая мощность при Т =333 К …. 100 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...