КТ357А, КТ357Б, КТ357В, КТ357Г — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, усилительные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы усиления и генерирования сигналов в ВЧ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,5 В, Iк = 10 мА, Т = 298 К:
- КТ357А, КТ357В …. 20-100
- КТ357Б, КТ357Г …. 60-300
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,5 В, Iк = 10 мА, Т = 358 К:
- КТ357А, КТ357В …. 20-250
- КТ357Б, КТ357Г …. 60-750
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,5 В, Iк = 10 мА, Т = 233 К:
- КТ357А, КТ357В …. 8-100
- КТ357Б, КТ357Г …. 20-300
Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при f = 100 МГц, Iк = 10 мА, Uкэ = 5 В не менее 3
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 150 нс
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 5 МГц не более 7 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uбэ = 0 В не более 10 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс при Т = 298 К и 233 К не более 5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = Uкб макс при Т = 358 К не более 40 мкА
Обратный ток эмиттера при Uбэ = 3,5 В не более 5 мкА
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 233-323 К …. 100 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...