П416, П416А, П416Б — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА.
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более …. 500 пс
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц, Т = 293 К:
- П416 …. 25-80
- П416А …. 60-125
- П416Б …. 90-200
Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 20 МГц не менее:
- П416 …. 2
- П416А …. 3
- П416Б …. 4
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц не более 5 мкСм
Обратный ток коллектора не более:
- при Uкб = 15 В ….5 мкА
- при Uкб = 10 В, Т = 293 К и 213 К ….3 мкА
- при Uкб = 10 В, Т = 343 К ….90 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэбо = 2 В не более 100 мкА
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 3 мА:
- П416 …. 2 В
- П416А, П416Б …. 1,7 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, Т = 343 К:
- П416 …. 13 В
- П416А, П416Б …. 10 В
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 5 МГц не более 8 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В, f = 5 МГц не более 10 пФ
Время рассасывания при Ек = 10 В, Iк = 50 мА, Ти = 5 мкс, f = 1-10 кГц не более:
- при Iб = 4 мА П416 …. 1 мкс
- при Iб = 2 мА П416А …. 1 мкс
- при Iб = 1,25 мА П416Б …. 1 мкс
Постоянная рассеиваемая мощность …. 100 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...