| Ваш IP: 54.166.107.51 | Online(33) - гости: 22, боты: 11 | Загрузка сервера: 1.19 ::::::::::::

П416, П416А, П416Б

П416, П416А, П416Б — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, универсальные, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне ДВ, КВ и УКВ, а тек же в импульсных схемах РЭА.

гт320

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 5 МГц не более …. 500 пс

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц, Т = 293 К:

  • П416 …. 25-80
  • П416А …. 60-125
  • П416Б …. 90-200

Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 20 МГц не менее:

  • П416 …. 2
  • П416А …. 3
  • П416Б …. 4

Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, Iэ=5 мА, f = 50-1000 Гц не более 5 мкСм

Обратный ток коллектора не более:

  • при Uкб = 15 В ….5 мкА
  • при Uкб = 10 В, Т = 293 К и 213 К ….3 мкА
  • при Uкб = 10 В, Т = 343 К ….90 мкА

Обратный ток эмиттера при Uэбо = 2 В не более 100 мкА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 50 мА, Iб = 3 мА:

  • П416 …. 2 В
  • П416А, П416Б …. 1,7 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, Т = 343 К:

  • П416 …. 13 В
  • П416А, П416Б …. 10 В

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 5 МГц не более 8 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 1 В, f = 5 МГц не более 10 пФ

Время рассасывания при Ек = 10 В, Iк = 50 мА, Ти = 5 мкс, f = 1-10 кГц не более:

  • при Iб = 4 мА П416 …. 1 мкс
  • при Iб = 2 мА П416А …. 1 мкс
  • при Iб = 1,25 мА П416Б …. 1 мкс

Постоянная рассеиваемая мощность  …. 100 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Мостовой стерео усилитель 2*7Вт на TDA7266

    Мостовой стерео усилитель 2*7Вт на TDA7266

    Усилитель на базе TDA7266 применяется в бытовой технике, имеет фиксированное усиление. Микросхема оснащена тепловой защитой, защитой от КЗ выхода по переменному току. Имеются встроенные функции MUTE и STAND-BY. В усилителе нет параметрической обратной связи и корректирующей RC-цепочки. Усилитель на базе TDA7266M имеет следующие технические характеристики: Номинальное напряжение питания 11В Номинальное …Подробнее...
  • Стереофонический регулятор громкости, баланса и тембра на ТСА5550

    Стереофонический регулятор громкости, баланса и тембра на ТСА5550

    Стереофонический регулятор громкости, баланса и тембра на ТСА5550 имеет следующие параметры: Малые нелинейные искажения не более 0,1% Напряжение питания 10-16В (12В номинальное) Ток потребления 15…30мА Входное напряжение 0,5В (коэффициент усиления при напряжении питания 12В единица) Диапазон регулировки тембра -14…+14дБ Диапазон регулировки баланса 3дБ Разница между каналами 45дБ Отношение сигнал шум …Подробнее...
  • Кодовая маркировка емкости импортных конденсаторов

    Кодовая маркировка емкости импортных конденсаторов

    В соответствии со стандартами IEC на практике применяется четыре способа кодировки номинальной емкости. 1. Кодировка 3-мя цифрами Первые две цифры указывают на значение емкости в пикофарадах (пф), последняя — количество нулей. Когда конденсатор имеет емкость менее 10 пФ, то последняя цифра может быть «9». При емкостях меньше 1.0 пф первая …Подробнее...
  • Универсальные фотодатчики

    Различные схемы фотореле, опубликованные в радиолюбительской литературе, что называется на любой вкус и цвет. С трудом можно найти какое-нибудь свежее решение. Предлагаемая схема (рис. 1), как представляется, оригинальна. В качестве фото датчика служит распространенный фоторезистор СФЗ-1. Он преобразует световой сигнал, улавливаемый чувствительной поверхностью, в электрические колебания, которые затем поступают на …Подробнее...
  • УКВ — ЧМ радиомикрофоны

    Первая схема Высокочастотный генератор собран на VT2. В его коллекторную цепь включен контур С5С6L1 настроенный на частоту около 100 МГц. По ВЧ транзистор включен с ОБ. ПОС осуществляется через точку соединения С5 С6 на эмиттер VT2. По НЧ транзистор работает с ОЭ и модулирующий сигнал поступает на его базу. При …Подробнее...