rcl-radio.ru

1Т329А, 1Т329Б, 1Т329В, ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г — германиевые планарные транзисторы, n-p-n, СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей ВЧ и СВЧ. Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 5 мА не менее: 1Т329А, ГТ329А …. 1,2 ГГц 1Т329Б, ГТ329Б …. 1,7 ГГц 1Т329В, ГТ329В …. 1,0 ГГц ГТ329Г […]

КТ312А, КТ312Б, КТ312В, 2Т312А, 2Т312Б, 2Т312В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные. Предназначены для работы в переключательных, усилительных и генераторных схемах. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iэ = 5 мА не менее: КТ312А, 2Т312А …. 80 МГц 2Т312Б, 2Т312В, КТ312Б, КТ312В …. 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи при Uкэ = 10 […]

П406, П407 — германиевые сплавные транзисторы, p-n-p, универсальные маломощные. Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах ВЧ, триггерных , ключевых и импульсных схемах.. Предельная частота коэффициента передачи тока при Uкб=6 В, Iэ= 1 мА не менее: П406 …. 10 МГц П407 …. 20 МГц Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=6 В, Iэ= 1 мА, f  = 1кГц, […]

КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж, 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, универсальные высокочастотные. Предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах Максимальная частота генерации при Uкб = 10 В, Iэ = 3 мА не менее 60 МГц Модуль коэффициента передачи тока при Uкб = 10 В, Iэ = 3 мА, f =  20 МГц не менее 1,5 […]

П422, П423 — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные, маломощные с нормированным коэффицентом шума на частоте 1,6 МГц. Предназначены для работы в усилительных и генераторных каскадах каскадах ВЧ. Вывод эмиттера маркируется на буртике транзистора цветной меткой. Максимальная частота генерации при Uкб=5 В, Iэ=5 мА не менее: П422 …. 60 МГц П423 …. 120 МГц Постоянная времени цепи обратной связи […]

КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные низкочастотные. Предназначены для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Граничное напряжение при Iэ=10 мА, Ти≤30мкс, скважности > 100 не менее: КТ502А, КТ502Б …. 25В КТ502В, КТ502Г …. 40В КТ502Д …. 60В КТ502Е …. 80В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=10 мА, Iб= 1мА не […]

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, усилительные маломощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ с нормированным коэффициентом шума, преобразователях, импульсных схемах. Коэффициент шума при Uкб = 3 В, Iк = 0,2 мА, Rr = 3 кОм, f = 1 кГц не более 4 дБ Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк […]