КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, усилительные маломощные. Предназначены для работы в усилителях НЧ с нормированным коэффициентом шума, преобразователях, импульсных схемах.
Коэффициент шума при Uкб = 3 В, Iк = 0,2 мА, Rr = 3 кОм, f = 1 кГц не более 4 дБ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,3 А, Iб = 0,06 А не более 0,4 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,1 А не более 0,7 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 0,3 А, Iб = 0,06 А не более 1,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 30 мА:
- КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л …. 20-60
- КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М …. 40-120
- КТ501В, КТ501Е, КТ501К …. 80-240
- при Uкб = 1 В, Iэ = 500 мА не менее 6
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = 10 мА не менее 5 МГц
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 500 кГц не более 50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uбэ = 0,5 В, f = 500 кГц не более 100 пФ
Обратный ток коллектора при Uкэr = Uкэr макс, Rэб = 10 кОм не более 1 мкА
Обратный ток эмиттер при Uбэ = Uбэ макс не более 1 мкА
Загрузка...