rcl-radio.ru

КТ617А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, n-p-n, переключательный, ВЧ. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 400 мА не менее 30 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более 0,7 В Модуль коэффициента передачи тока при  Uкб = 10 В, Iэ […]

КТ616А, КТ616Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 1 В, Iэ = 1 мА не менее: КТ616А ….40 КТ616Б …. 25 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А не более 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при […]

КТ608А, КТ608Б, 2Т608А, 2Т608Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и ВЧ схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 200 мА, Т = 298 К: 2Т608А …. 25-80 2Т608Б …. 50-160 КТ608А …. 20-80 КТ608Б …. 40-160 Статический коэффициент передачи тока в схеме с […]

КТ605А, КТ605Б, КТ605АМ, КТ605БМ  — кремниевые меза-планарные транзисторы, n-p-n, универсальные, высокочастотные, маломощные. Предназначены для применения в импульсных , переключательных и усилительных ВЧ схемах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более 8 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА не менее: КТ605А …. 10-40 КТ605Б …. […]

2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, импульсные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в импульсных и переключательных схемах. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более: 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г …. 0,8 В КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е …. 1 В 2Т603И […]