День: 08.01.2016

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях ВЧ. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА не менее: ГТ309А, ГТ309Б …. 120 МГц ГТ309В, ГТ309Г …. 80 МГц ГТ309Д, ГТ309Е …. 40 МГц Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ […]

Загрузка...
Просмотров: 8 732 Читать статью

1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В

1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В — германиевые диффузионно-сплавные е транзисторы, p-n-p, универсальные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в усилителях мощности, автогенераторах и импульсных схемах. Граничное напряжение при Iк = 10 мА не менее 15 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при  Iк = 50 мА, Iб = 3 мА не более: 1Т308А, ГТ308А …. 1,5 В 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В …. 1,2 В Напряжение насыщения база-эмиттер при  Iк = 50 мА, […]

Загрузка...
Просмотров: 7 390 Читать статью

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, усилительные ВЧ. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА, Т = 298 К не менее: КТ630А …. 40-120 КТ630Б …. 80-240 КТ630В, КТ630Г …. 40-120 КТ630Д …. 80-240 […]

Загрузка...
Просмотров: 4 320 Читать статью

КТ618А

КТ618А — кремниевый планарный транзистор, n-p-n, переключательный, высоковольтный. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 1 мА не менее 30 Модуль коэффициента передачи тока при  Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА, f = 20 МГц не менее 2 Емкость коллекторного перехода при Uкбо = 40 В, не более […]

Загрузка...
Просмотров: 1 876 Читать статью