rcl-radio.ru

На микросхеме LM3876T  можно собрать высококачественный усилитель мощности звуковой частоты. Микросхема питается от двухполярного источника питания +/-35В (номинальное). Выходная мощность усилителя достигает 105В на 4-х омной нагрузке и 60 Вт при нагрузке 8 Ом. Усилитель на ИМС LM3876T обладает следующими характеристиками: КНИ не более 0,01% уровень собственных шумов -114 дБА, АЧХ (-3 дБ) от 10 Гц […]

Микросхема К1055ХВ7Р является интегральной схемой управления реле включения ламп автомобиля. Она изготовлена по уникальной биполярной технологии, разработанной для класса ИС, ориентированных на применение в бортовой сети автомобилей. ИС предназначена для работы в качестве мощного счетного триггера в составе реле включения задних противотуманных огней, реле включения передних противотуманных огней, реле включения / переключения ближнего и дальнего света автомобиля с соответствующими алгоритмами управления. В состав микросхемы […]

К1460УД2х – интегральная микросхема представляет собой сдвоенный мощный операционный усилитель, пригодная для использования в качестве мощного ОУ в широком диапазоне областей применения, хорошо подходит для управления индуктивными нагрузками, в частности, для управления электродвигателями постоянного тока. Микросхема К1460УД2Рх является прямым аналогом микросхемы TCA0372 фирмы «MOTOROLA». ОСОБЕННОСТИ • Выходной ток до 1.0 А • Скорость нарастания сигнала 1.3 B/мкС • Питание, […]

К174КП1 представляет собой двухканальный аналоговый мультиплексор, который имеет четыре входа и один выход в каждом канале. Усилители, входящие в состав каждого канала выполнены в виде конверторов сопротивления с единичным усилением по напряжению. Переключение входов осуществляются подачей соответствующий потенциалов на управляющие входы. Микросхема применяется в высококачественной усилительно-коммуникационной аппаратуре высшего класса. Назначение выводов: вход канала 1А вход […]

Сетевые трансформаторы хорошо приспособлены для получения различных напряжений питания. Если вторичная обмотка трансформатора не имеет нужного напряжения питания, то можно его получить путем удвоения. Например действующее напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6,3В, после выпрямления в лучшем случае можно получить не более 9В, но используя удвоитель напряжения можно получить 12…18В на выходе источника питания. Схема удвоителя […]

Наиболее простым стабилизатором напряжения является параметрический стабилизатор, выполненный на основе полупроводникового стабилитрона. Стабилитрон подключается через балластный резистор к источнику входного не стабилизированного напряжения. Следует обратить внимание, что режим стабилитрона является режим пробоя p-n перехода. Если входное напряжение равно или меньше напряжения пробоя стабилитрона, то применение параметрического стабилизатора бессмысленно. Если же входное напряжение превышает напряжение пробоя […]

На рисунке № 1 показана схема простого индикатора сетевого напряжения. R1 ограничивает прямой ток через светодиод HL1. С1 используется в качестве балластного элемента, что позволило улучшить тепловой режим уст-ва индикации. При отрицательной полуволне сетевого напряжения стабилитрон VD1 работает как обычный диод, предохраняя светодиод от пробоя в обратным смещением. При положительной полуволне ток протекает через светодиод, […]

Микросхема К1336ЕН3.3Т – стабилизатор напряжения 3,3 В/300 мА с низким остаточным напряжением и низким током потребления. Микросхема К1336ЕН5Т – стабилизатор напряжения 5 В/300 мА с низким остаточным напряжением и низким током потребления. Изготавливаются в миниатюрном металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа 4601.3-1. ОСОБЕННОСТИ Низкое остаточное напряжение, не более 600 мВ при выходном токе 300 мА Гарантированный выходной ток 300 мА Низкий ток потребления 100 мкА Технологический […]

В этом видео вы узнаете лучших производителей мониторов, какую выбрать диагональ экрана, какие матрицы лучше и многое другое…

В полупроводниковых индикаторах при протекании через них прямого тока происходит инжекция неосновных носителей заряда в базовую область диодной структуры. Процесс рекомбинации этих носителей в базовой области и p-n переходе сопровождается переходом их на более низкий энергетический уровень с излучением кванта света. Ширина запрещенной зоны определяет цвет свечения индикатора. Самый простой полупроводниковый индикатор это светодиод, помимо […]