rcl-radio.ru

ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б, 1Т320В — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, переключательные маломощные. Предназначены для работы в схемах переключения и усиления ВЧ сигнала. Граничная частота при Uкэ = 5 В, Iэ = 10 мА не менее: ГТ320А …. 80 МГц ГТ320Б …. 120 МГц ГТ320В, 1Т320А, 1Т320Б …. 160 МГц 1Т320В …. 200 МГц Постоянная времени цепи обратной связи […]

1Т311А, 1Т311Б, 1Т311Г, 1Т311Д, 1Т311К, 1Т311Л, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И— германиевые транзисторы, универсальные, планарные. Предназначены для усиления сигналов ВЧ и СВЧ. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uк=3 В, Iэ = 15 мА, Т = 298К: 1Т311А …. 15-180 1Т311Б …. 30-180 1Т311Г …. 30-80 1Т311Д, 1Т311К …. 60-180 1Т311Л …. 150-300 ГТ311Е […]

ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные маломощные с нормированным коэффициентом шума, ВЧ. Предназначены для работы в усилителях ВЧ. Коэффициент шума при f = 1,6 МГц, Uкб = 5В, Iэ = 1 мА не более: ГТ310А, ГТ310Б …. 3 дБ ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е …. 4 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб=5 В, […]

2Т306А, 2Т306Б, 2Т306В, 2Т306Г, КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления 2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б и усиления сигналов ВЧ 2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д. Граничная частота при Uкб =5 В, Iэ = 10 мА не менее: 2Т306А, 2Т306В, КТ306А, КТ306В …. 300 МГц 2Т306Б, КТ306Б, 2Т306Г, КТ306Г …. 500 МГц […]

ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е — германиевые транзисторы, диффузионно-сплавные, p-n-p, усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях ВЧ. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5В, Iэ = 5 мА не менее: ГТ309А, ГТ309Б …. 120 МГц ГТ309В, ГТ309Г …. 80 МГц ГТ309Д, ГТ309Е …. 40 МГц Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ […]

1Т308А, 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В — германиевые диффузионно-сплавные е транзисторы, p-n-p, универсальные ВЧ, маломощные. Предназначены для работы в усилителях мощности, автогенераторах и импульсных схемах. Граничное напряжение при Iк = 10 мА не менее 15 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при  Iк = 50 мА, Iб = 3 мА не более: 1Т308А, ГТ308А …. 1,5 В 1Т308Б, 1Т308В, ГТ308Б, ГТ308В …. 1,2 В Напряжение насыщения база-эмиттер при  Iк = 50 мА, […]

КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е — кремниевые планарные транзисторы, n-p-n, усилительные ВЧ. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА, Т = 298 К не менее: КТ630А …. 40-120 КТ630Б …. 80-240 КТ630В, КТ630Г …. 40-120 КТ630Д …. 80-240 […]

КТ618А — кремниевый планарный транзистор, n-p-n, переключательный, высоковольтный. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 40 В, Iэ = 1 мА не менее 30 Модуль коэффициента передачи тока при  Uкб = 40 В, Iэ = 20 мА, f = 20 МГц не менее 2 Емкость коллекторного перехода при Uкбо = 40 В, не более […]

КТ617А — кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор, n-p-n, переключательный, ВЧ. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 400 мА не менее 30 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 150 мА, Iб = 15 мА не более 0,7 В Модуль коэффициента передачи тока при  Uкб = 10 В, Iэ […]

КТ616А, КТ616Б — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные. Предназначены для работы в переключающих схемах. Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 1 В, Iэ = 1 мА не менее: КТ616А ….40 КТ616Б …. 25 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 0,5 А, Iб = 0,05 А не более 0,6 В Напряжение насыщения база-эмиттер при […]