КТ343А, КТ343Б, КТ343В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, универсальные высокочастотные, маломощные. Предназначены для работы в переключательных, импульсных и усилительных схемах ВЧ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 0,3 В, Iэ = 10 мА не менее:
- КТ343А, КТ343В …. 30
- КТ343Б …. 50
Модуль коэффициента передачи тока при f = 100 МГц, Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее …. 3
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более:
- КТ343А, КТ343В …. 10 нс
- КТ343Б …. 20 нс
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 10 МГц не более …. 6 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uбэ = 0 В, f = 10 МГц не более …. 8 пФ
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В для КТ343А, КТ343Б и при Uкб = 10 В для КТ343В не более …. 1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при Rбэ = 10 кОм, Uкэ = Uкэ макс не более …. 100 мкА
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 233-348 К …. 150 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...