Биполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) по характеристикам близки к биполярным транзисторам, но имеют более высокое быстродействие и меньшее напряжение насыщения. Большинство специализированных микросхем не пригодны для непосредственного управления БСИТ, так как его необходимо закрывать вытекающим (обратным) током. Поэтому представлена схема ИПП на дискретных элементах. Основные технические характеристики: Напряжение питающей сети — 150…240В Выходное напряжение […]
  Загрузка... |
Просмотров: 11 587 | Читать статью |
Устройство предназначено для зарядки свинцово-кислотных аккумуляторов напряжением 12В и емкостью 55…75А*Ч, а так же это зарядное устройство может использоваться как малогабаритный источник бесперебойного питания. Схема устройства содержит полу мостовой инвертор на VT3 VT4 и С7 С8. Для внешнего возбуждения инвертора применен генератор на КР1211ЕУ1 который вырабатывает противофазные импульсы.(f=50кГц определяется R6С1) Первоначальное питание генератора DA3 осуществляется […]
| Загрузка... |
Просмотров: 23 694 | Читать статью |
Используя интегральные микросхемы не возможно получить качественный регулятор тембра, регуляторы тембра на малошумящих транзисторах С945 обеспечат отличное качество звучания. На рисунке №1 показана схема регулятора тембра (правый канал) на четырех транзисторах. Напряжение питания от 12 до 24В. В регуляторе тембра помимо регулировки ВЧ и НЧ можно регулировать громкость и баланс. На рисунке №2 показана аналогичная […]
| Загрузка... |
Просмотров: 26 101 | Читать статью |
На рисунке показана схема 50 Вт усилителя с выходными полевыми MOSFET транзисторами. Первый каскад усилителя представляет собой дифференциальный усилитель на транзисторах VT1 VT2. Второй каскад усилителя состоит из транзисторов VT3 VT4. Оконечный каскад усилителя состоит из МОП-транзисторов IRF530 и IRF9530. Выход усилителя через катушку L1 соединен с нагрузкой 8 Ом. Цепь состоящий из R15 и […]
  4,50 (8) Загрузка... |
Просмотров: 24 792 | 1 комментарий | Читать статью |