rcl-radio.ru

LA4625 — 2-канальный усилитель мощности звуковой частоты. Выходная мощность усилителя 13,5 Вт (на канал) при напряжении питания 12 В при сопротивлении нагрузки 4 Ом. Пиковая выходная мощность достигает 115 Вт (Uпит=20В, Rн=4 Ом). ИМС LA4625 имеет защиту от КЗ выхода, перенапряжения и тепловую защиту. Основные характеристики Максимальное напряжение питания 24 В Максимальный ток потребления 3,5 А […]

На рисунке показана схема двухканального усилителя мощности звуковой частоты на ИМС LA4450. Выходная мощность усилителя при напряжении питания 26,4В (рекомендованное) 12Вт (на канал) на нагрузке 8 Ом и 20 Вт (на канал) на нагрузке 4 Ом. ИМС LA4450 имеет тепловую защиту, защиту от перенапряжения и импульсных помех. Основные характеристики Максимальное напряжение питания 37В Максимальный ток потребления […]

На рисунке показана схема простого усилителя мощности звуковой частоты выходной каскад которого состоит из 2-х MOSFET транзисторов IRF9530 и IRF530. Выходная мощность усилителя на нагрузке 8 Ом достигает 45 Вт и 70 Вт на нагрузке 4 Ом. Выходные транзисторы должны быть установлены на теплоотводы, при этом транзистор VT3 должен иметь тепловой контакт с теплоотводом транзистора VT5. КПД […]

На рисунке показана схема Hi-Fi усилителя для наушников (моно) с выходной мощность 1 Вт. КНИ усилителя не более 0,1%. Частота пропускания от 10 до 30000 Гц. Усилитель обеспечивает выходную мощность 1 Вт на нагрузке 8 Ом при входном сигнале 500 мВ. Выходные транзисторы усилителя должны быть установлены на небольшие радиаторы. Источник (+плата) — http://www.electroschematics.com/2882/hifi-headphone-amplifier/

На ИМС LM2896 можно сделать простой двухканальный усилитель мощности звуковой частоты. Напряжение питания усилителя может находится в пределах от 3 до 15В. При напряжении питания 12В выходная мощность усилителя составит 2,5 Вт на канал при 8-и омной нагрузке . КНИ на частоте 1 кГц и выходной мощности 1Вт не превышает 0,14%. Так же возможно использование ИМС LM2896 […]

К5300ЕХ025 – микросхема, предназначенная для использования в качестве линейного стабилизатора напряжения. Характеристики: Входное напряжение до 45В. Выходное напряжение 11,0 В Ток нагрузки: до 60 мА. Защита от короткого замыкания. Тепловая защита. Рабочий температурный диапазон от минус 60 °С до +125 °С Дополнительная регулировка внешним резистором выходного напряжения в диапазоне 11,0-15,0 В. Настраиваемый порог включения стабилизатора по входному напряжению. Настраиваемый порог выключения стабилизатора […]

На рисунке показана схема простого антенного усилителя для приемников работающих в диапазоне от 75МГц до 150МГц. В уст-ве используется всего один транзистор BF324. Катушка индуктивности L1 имеет 10 витков из медного провода диаметром 0,5 мм, внутренний диаметр катушки 3 мм (без сердечника). L2 имеет 13 витков из провода диаметром 0,5 мм, внутренний диаметр катушки 5 […]

На рисунке показана схема простого АМ приемника состоящего всего из двух транзисторов. Транзистор VT1 работает как ВЧ-усилитель с обратной связью и как демодулятор одновременно. Чувствительность приемника зависит от величины обратной связи и может быть отрегулирована при помощи потенциометра VР1. VT2 используется как усилитель НЧ. Катушки антенный намотаны на ферритовом стержне диаметром 10 мм и длиной […]

На рисунке показана схема простого зарядного уст-ва для автомобильной аккумуляторной батареи. Уст-во основано на регуляторе напряжения LM350. Транзистор VT1 BD140 используется в качестве датчика температуры, а транзистор VT2 используется для предотвращения разряда аккумулятора через R1, когда питание от схемы отключено. Выходное напряжения зарядного устройства можно регулировать в пределах от 13 до 15 В при помощи […]

Принципиальная схема показанная на рисунке автоматически подключает резервную батарею питания к нагрузке и отключает ее при подачи напряжения питания с сетевого источника питания. Схема основана на микросхеме LTC4412 от Linear Technology, которая управляет внешним MOSFET транзистором. Транзистор в схеме используется как идеальный диод, падение напряжение на котором не более 20 мВ. Падение напряжения на диоде Шоттки при его прямом […]