КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М

КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М — кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы, маломощные. Предназначены для работы в усилительных и импульсных схемах.

кт209

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее:

  • КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М …. 5 МГц

Коэффициент шума при Uкэ = 3 В, Iк = 0,2 мА, f = 1  кГц, Rr = 3 кОм КТ209В, КТ209Е, КТ209К …. 5 дБ

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 30 мА, Т = 298 К:

  • КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л …. 20-60
  • КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М …. 40-120
  • КТ209В, КТ209Е …. 80-240
  • КТ209К …. 80-160

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 30 мА, Т = 373 К:

  • КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л …. 20-120
  • КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М …. 40-240
  • КТ209В, КТ209Е …. 80-480
  • КТ209К …. 80-320

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 1 В, Iэ = 30 мА, Т = 228 К:

  • КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л …. 10-60
  • КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М …. 20-120
  • КТ209В, КТ209Е …. 40-240
  • КТ209К …. 40-160

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА не более 0,4 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА не более 1,5 В

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 1 МГц  не более 100 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0,5 В, f = 1 МГц не более 100 пФ

Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iк = 5 мА …. 130-2500 Ом

Обратный ток эмиттера при Uэб = Uэб макс не более 1 мкА

Добавить комментарий

Войти с помощью: