2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, p-n-p, СВЧ, с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов ВЧ.
Граничная частота при Uкб =5 В, Iк = 10 мА не менее:
- 2Т325А, 2Т325Б, КТ325А, КТ325Б …. 800 МГц
- 2Т325В, КТ325В …. 1000 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб =5 В, Iк = 10 мА, f = 10 МГц не более 125 пс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Т = 298 К, Iк = 10 мА не менее:
- 2Т325А, КТ325А …. 30-90
- 2Т325Б, КТ325Б …. 70-210
- 2Т325В, КТ325В …. 160-400
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Т = 213 К, Iк = 10 мА не менее:
- 2Т325А …. 12-90
- 2Т325Б …. 28-210
- 2Т325В …. 64-400
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб = 5 В, Т = 398 К, Iк = 10 мА не менее:
- 2Т325А …. 30-170
- 2Т325Б …. 70-400
- 2Т325В …. 160-700
Граничное напряжение при Iэ = 10 мА не менее 15 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 15 В, Т = 298 К не более …. 0,5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 15 В, Т = 398 К для 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В не более …. 5 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, Т = 298 К не более :
- 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В …. 1 мкА
- КТ325А, КТ325Б, КТ325В …. 0,5 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 10 МГц не более …. 2,5 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 4 В, f = 10 МГц не более …. 2,5 пФ
Емкость конструктивная между выводами коллектора и эмиттера не более 0,35 пФ
Индуктивность выводов эмиттера и базы при длине выводов 3 мм не более 7 нГн
Постоянная рассеивающая мощность коллектора при Т = 213-358 К …. 225 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...