2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для переключения 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, КТ316А, КТ316Б, КТ316В и усиления сигналов ВЧ 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д.
Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее:
- 2Т316А, 2Т316Г, КТ316А, КТ316Г …. 600 МГц
- 2Т316Б, КТ316Б, 2Т316В, КТ316В, КТ316Д, 2Т316Д …. 800 МГц
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 10 МГц не более:
- 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д …. 150 пс
Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Iб2 = 1,2 мА, Rк = 75 Ом:
- 2Т316А, 2Т316Б, КТ316А, КТ316Б …. 10 нс
- 2Т316В, КТ316В …. 15 нс
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Iэ = 10 мА, Т = 298 К:
- 2Т316А, КТ316А …. 20-60
- 2Т316Б, КТ316Б, 2Т316В, КТ316В …. 40-120
- 2Т316Г, КТ316Г …. 20-100
- 2Т316Д, КТ316Д …. 60-300
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Iэ = 10 мА, Т = 213 К:
- 2Т316А …. 10-60
- 2Т316Б, 2Т316В …. 20-120
- 2Т316Г …. 10-100
- 2Т316Д …. 30-300
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Iэ = 10 мА, Т = 398 К:
- 2Т316А …. 20-120
- 2Т316Б, 2Т316В …. 40-240
- 2Т316Г …. 20-200
- 2Т316Д …. 60-600
Граничное напряжение при Iэ = 1 мА не менее 5 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1,1 В
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 298 К не более 0,5 мкА
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 398 К не более:
- 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д …. 5 мкА
Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, Т = 298 К …. 1 мкА
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более 3 пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В не более 2,5 пФ
Конструктивная емкость между выводами коллектора и эмиттера 0,5 пФ
Постоянная рассеивающая мощность при Т = 213-348 …. 150 мВт
Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.
Загрузка...