| Ваш IP: 54.167.181.242 | Online(22) - гости: 16, боты: 6 | Загрузка сервера: 0.89 ::::::::::::

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д

2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы, n-p-n, переключательные маломощные и СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены  для переключения 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, КТ316А, КТ316Б, КТ316В и усиления сигналов ВЧ 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д.

кт316

Граничная частота при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА не менее:

  • 2Т316А, 2Т316Г, КТ316А, КТ316Г …. 600 МГц
  • 2Т316Б, КТ316Б, 2Т316В, КТ316В, КТ316Д, 2Т316Д …. 800 МГц

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 10 МГц не более:

  • 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д …. 150 пс

Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Iб2 = 1,2 мА, Rк = 75 Ом:

  • 2Т316А, 2Т316Б, КТ316А, КТ316Б …. 10 нс
  • 2Т316В, КТ316В …. 15 нс

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Iэ = 10 мА, Т = 298 К:

  • 2Т316А, КТ316А …. 20-60
  • 2Т316Б, КТ316Б, 2Т316В, КТ316В …. 40-120
  • 2Т316Г, КТ316Г …. 20-100
  • 2Т316Д, КТ316Д …. 60-300

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Iэ = 10 мА, Т = 213 К:

  • 2Т316А …. 10-60
  • 2Т316Б, 2Т316В …. 20-120
  • 2Т316Г …. 10-100
  • 2Т316Д …. 30-300

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Ек = 0 В, Iэ = 10 мА, Т = 398 К:

  • 2Т316А …. 20-120
  • 2Т316Б, 2Т316В …. 40-240
  • 2Т316Г …. 20-200
  • 2Т316Д …. 60-600

Граничное напряжение при Iэ = 1 мА не менее 5 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 0,4 В

Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА не более 1,1 В

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 298 К не более 0,5 мкА

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В, Т = 398 К не более:

  • 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д …. 5 мкА

Обратный ток эмиттера при Uэб = 4 В, Т = 298 К …. 1 мкА

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В не более 3 пФ

Емкость эмиттерного перехода при Uэб = 0 В не более 2,5 пФ

Конструктивная емкость между выводами коллектора и эмиттера 0,5 пФ

Постоянная рассеивающая мощность при Т = 213-348 …. 150 мВт

Литература: Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. 1985 г.

Добавить комментарий

Случайные статьи

  • Генераторы импульсов на микросхемах К176ИЕ5, К176ИЕ12, К176ИЕ18

    На рис. приведена принципиальная схема генератора секундных импульсов на микросхеме К176ИЕ5. Здесь и в других схемах на этом рисунке численные данные приведены для варианта применения стандартного кварцевого резонатора на частоту 32 768 Гц. Микросхемы допускают также использование кварцевого резонатора на частоту 16 384 Гц. Тогда секундные импульсы выделяются на выходе …Подробнее...
  • Преобразователь +9В в -5В

    555 — таймер может быть использован для генерации прямоугольного сигнала с целью получения отрицательного напряжения относительно общего провода питания. Импульсы с контакта 3 микросхемы через конденсатор 22мкФ поступают на выпрямитель, после выпрямителя получаем отрицательное напряжение около 7В, но при помощи стабилитрона 5,1В (он служит регулятором выходного напряжения) получаем выходное напряжение …Подробнее...
  • К1055ХВ7Р — ИС УПРАВЛЕНИЯ РЕЛЕ ВКЛЮЧЕНИЯ ЛАМП АВТОМОБИЛЯ

    К1055ХВ7Р — ИС УПРАВЛЕНИЯ РЕЛЕ ВКЛЮЧЕНИЯ ЛАМП АВТОМОБИЛЯ

    Микросхема К1055ХВ7Р является интегральной схемой управления реле включения ламп автомобиля. Она изготовлена по уникальной биполярной технологии, разработанной для класса ИС, ориентированных на применение в бортовой сети автомобилей. ИС предназначена для работы в качестве мощного счетного триггера в составе реле включения задних противотуманных огней, реле включения передних противотуманных огней, реле включения / переключения ближнего и дальнего света автомобиля с …Подробнее...
  • Автомат уличного освещения

    Схема автомата, позволяющего автоматически включать вечером и выключать утром уличное освещение, представлена на рис. Датчиком освещенности является фоторезистор R4. Когда он затемнен, его сопротивление  велико (несколько мегаом), на входах логического элемента DD1.1—напряжение высокого уровня, такое же напряжение на выходе элемента DD1.2. Транзистор VT1 и тринистор VS1 открыты, и уличные осветители …Подробнее...
  • Акустический узел сигнализации

    На рисунке 1 показана схема акустического узла сигнализации основанная на микросхеме музыкального-синтезатора типа УМС. Микросхема включена по типовой схеме. При нажатии S1 начинает играть первая мелодия из репертуара микросхемы. При нажатии S3 мелодии будут меняться, таким образом можно выбрать мелодию которая будет проиграна при срабатывании сигнализации, S2 служит для остановки …Подробнее...